Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD90N04S405ATMA1
IPD90N04S405ATMA1

IPD90N04S405ATMA1 Infineon Technologies

IPD90N04S4-05_DS_1_0.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304328c6bd5c01291ca8f57f5e9a
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 86A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 86A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2960 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+27.64 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD90N04S405ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD90N04S405ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 86 A, 4300 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 86A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 65W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS-T2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4300µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції IPD90N04S405ATMA1 за ціною від 23.05 грн до 108.54 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IPD90N04S405ATMA1 IPD90N04S405ATMA1 INFINEON INFNS15028-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD90N04S405ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 86 A, 4300 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 86A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4300µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1616 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+43.09 грн
500+29.02 грн
1000+24.18 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S405ATMA1 IPD90N04S405ATMA1 Infineon Technologies infineonipd90n04s405dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 86A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1041 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
739+47.88 грн
1000+44.16 грн
Мінімальне замовлення: 739 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S405ATMA1 IPD90N04S405ATMA1 Infineon Technologies infineonipd90n04s405dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 86A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
739+47.88 грн
1000+44.16 грн
Мінімальне замовлення: 739 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S405ATMA1 IPD90N04S405ATMA1 INFINEON IPD90N04S4-05_DS_1_0.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304328c6bd5c01291ca8f57f5e9a Description: INFINEON - IPD90N04S405ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 86 A, 4300 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 86A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4300µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1556 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+102.79 грн
13+64.88 грн
100+43.09 грн
500+29.02 грн
1000+24.18 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S405ATMA1 IPD90N04S405ATMA1 Infineon Technologies IPD90N04S4-05_DS_1_0.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304328c6bd5c01291ca8f57f5e9a Description: MOSFET N-CH 40V 86A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 86A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2960 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5458 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+103.87 грн
10+62.92 грн
100+41.79 грн
500+30.69 грн
1000+27.95 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S405ATMA1 IPD90N04S405ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD90N04S4_05-DS-v01_00-en.pdf MOSFETs N-Ch 40V 90A DPAK-2 OptiMOS-T2
на замовлення 3461 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+108.54 грн
10+67.60 грн
100+39.05 грн
500+30.52 грн
1000+27.84 грн
2500+24.88 грн
5000+23.05 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S405ATMA1 INFNS15028-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPD90N04S405ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD90N04S405ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 86 A, 4300 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 86A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4300µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1616 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+43.09 грн
500+29.02 грн
1000+24.18 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S405ATMA1 infineonipd90n04s405dsv0100en.pdf
IPD90N04S405ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 86A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1041 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
739+47.88 грн
1000+44.16 грн
Мінімальне замовлення: 739 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S405ATMA1 infineonipd90n04s405dsv0100en.pdf
IPD90N04S405ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 86A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
739+47.88 грн
1000+44.16 грн
Мінімальне замовлення: 739 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S405ATMA1 IPD90N04S4-05_DS_1_0.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304328c6bd5c01291ca8f57f5e9a
IPD90N04S405ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD90N04S405ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 86 A, 4300 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 86A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4300µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1556 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
8+102.79 грн
13+64.88 грн
100+43.09 грн
500+29.02 грн
1000+24.18 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S405ATMA1 IPD90N04S4-05_DS_1_0.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304328c6bd5c01291ca8f57f5e9a
IPD90N04S405ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 86A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 86A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2960 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5458 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+103.87 грн
10+62.92 грн
100+41.79 грн
500+30.69 грн
1000+27.95 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S405ATMA1 Infineon-IPD90N04S4_05-DS-v01_00-en.pdf
IPD90N04S405ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 40V 90A DPAK-2 OptiMOS-T2
на замовлення 3461 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
4+108.54 грн
10+67.60 грн
100+39.05 грн
500+30.52 грн
1000+27.84 грн
2500+24.88 грн
5000+23.05 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.