Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD90N06S404ATMA2
IPD90N06S404ATMA2

IPD90N06S404ATMA2 Infineon Technologies

INFNS13309-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO252-31
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10400 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+56.74 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD90N06S404ATMA2 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD90N06S404ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 3200 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 90A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 150W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS-T2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0032ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IPD90N06S404ATMA2 за ціною від 53.75 грн до 194.36 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPD90N06S404ATMA2 IPD90N06S404ATMA2 Виробник : Infineon Technologies infineonipd90n06s404dsv0102en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+66.19 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N06S404ATMA2 IPD90N06S404ATMA2 Виробник : Infineon Technologies infineonipd90n06s404dsv0102en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
186+68.22 грн
187+67.73 грн
189+67.23 грн
250+64.35 грн
500+59.13 грн
1000+56.34 грн
Мінімальне замовлення: 186
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N06S404ATMA2 IPD90N06S404ATMA2 Виробник : Infineon Technologies infineonipd90n06s404dsv0102en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+70.80 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N06S404ATMA2 IPD90N06S404ATMA2 Виробник : INFINEON 2849603.pdf Description: INFINEON - IPD90N06S404ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 3200 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 150W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0032ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4802 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+71.67 грн
500+59.48 грн
1000+53.75 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N06S404ATMA2 IPD90N06S404ATMA2 Виробник : Infineon Technologies infineonipd90n06s404dsv0102en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+73.10 грн
25+72.57 грн
100+69.46 грн
250+63.84 грн
500+60.82 грн
1000+60.36 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N06S404ATMA2 IPD90N06S404ATMA2 Виробник : Infineon Technologies infineonipd90n06s404dsv0102en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
286+110.62 грн
500+99.56 грн
1000+91.81 грн
Мінімальне замовлення: 286
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N06S404ATMA2 IPD90N06S404ATMA2 Виробник : Infineon Technologies infineonipd90n06s404dsv0102en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 47500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
286+110.62 грн
500+99.56 грн
1000+91.81 грн
10000+78.94 грн
Мінімальне замовлення: 286
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N06S404ATMA2 IPD90N06S404ATMA2 Виробник : Infineon Technologies infineonipd90n06s404dsv0102en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
286+110.62 грн
500+99.56 грн
Мінімальне замовлення: 286
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N06S404ATMA2 IPD90N06S404ATMA2 Виробник : Infineon Technologies infineonipd90n06s404dsv0102en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
286+110.62 грн
500+99.56 грн
1000+91.81 грн
Мінімальне замовлення: 286
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N06S404ATMA2 IPD90N06S404ATMA2 Виробник : INFINEON 2849603.pdf Description: INFINEON - IPD90N06S404ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 3200 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4797 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+136.17 грн
12+77.76 грн
100+73.82 грн
500+62.55 грн
1000+53.83 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N06S404ATMA2 IPD90N06S404ATMA2 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPD90N06S4_04_DS_v01_02_en.pdf MOSFETs MOSFET
на замовлення 2248 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+140.68 грн
10+78.80 грн
100+65.08 грн
500+64.52 грн
1000+60.21 грн
2500+55.34 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N06S404ATMA2 IPD90N06S404ATMA2 Виробник : Infineon Technologies INFNS13309-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO252-31
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10400 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7948 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+194.36 грн
10+120.78 грн
100+82.88 грн
500+62.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N06S404ATMA2 Виробник : Infineon INFNS13309-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N06S404ATMA2 IPD90N06S404ATMA2 Виробник : Infineon Technologies ipd90n06s404_ds_11.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 90A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N06S404ATMA2 IPD90N06S404ATMA2 Виробник : Infineon Technologies infineonipd90n06s404dsv0102en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N06S404ATMA2 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES INFNS13309-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 150W; DPAK3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Case: DPAK3
On-state resistance: 3.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 150W
Drain current: 90A
Gate charge: 128nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.