Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD90N06S4L03ATMA2
IPD90N06S4L03ATMA2

IPD90N06S4L03ATMA2 Infineon Technologies

infineon-ipd90n06s4l-03-datasheet-cn.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO252-31
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+70.79 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 2500 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD90N06S4L03ATMA2 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD90N06S4L03ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 3500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 90A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, Verlustleistung: 150W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS T2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm.

Інші пропозиції IPD90N06S4L03ATMA2 за ціною від 70.34 грн до 247.87 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPD90N06S4L03ATMA2 IPD90N06S4L03ATMA2 Infineon Technologies infineonipd90n06s4l03dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+78.75 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N06S4L03ATMA2 IPD90N06S4L03ATMA2 Infineon Technologies infineonipd90n06s4l03dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+78.89 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N06S4L03ATMA2 IPD90N06S4L03ATMA2 Infineon Technologies infineonipd90n06s4l03dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1555 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
278+131.54 грн
500+118.39 грн
1000+109.18 грн
Мінімальне замовлення: 278 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N06S4L03ATMA2 IPD90N06S4L03ATMA2 Infineon Technologies infineonipd90n06s4l03dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
278+131.54 грн
500+118.39 грн
1000+109.18 грн
Мінімальне замовлення: 278 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N06S4L03ATMA2 IPD90N06S4L03ATMA2 Infineon Technologies infineonipd90n06s4l03dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 14432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
278+131.54 грн
500+118.39 грн
1000+109.18 грн
10000+93.87 грн
Мінімальне замовлення: 278 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N06S4L03ATMA2 IPD90N06S4L03ATMA2 Infineon Technologies infineonipd90n06s4l03dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
278+131.54 грн
500+118.39 грн
Мінімальне замовлення: 278 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N06S4L03ATMA2 IPD90N06S4L03ATMA2 Infineon Technologies infineon-ipd90n06s4l-03-datasheet-cn.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO252-31
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4231 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+231.20 грн
10+144.34 грн
50+110.71 грн
100+93.74 грн
500+75.90 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N06S4L03ATMA2 IPD90N06S4L03ATMA2 Infineon Technologies infineon_ipd90n06s4l_03_datasheet_en.pdf MOSFETs MOSFET
на замовлення 2150 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+247.87 грн
10+121.73 грн
100+95.34 грн
500+77.33 грн
1000+75.82 грн
2500+70.34 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N06S4L03ATMA2 IPD90N06S4L03ATMA2 INFINEON INFNS14110-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD90N06S4L03ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 3500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
на замовлення 15044 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N06S4L03ATMA2 IPD90N06S4L03ATMA2 Infineon Technologies infineonipd90n06s4l03dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 77 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N06S4L03ATMA2 IPD90N06S4L03ATMA2 INFINEON INFNS14110-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD90N06S4L03ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 3500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
на замовлення 15044 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N06S4L03ATMA2 infineonipd90n06s4l03dsv0100en.pdf
IPD90N06S4L03ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+78.75 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N06S4L03ATMA2 infineonipd90n06s4l03dsv0100en.pdf
IPD90N06S4L03ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+78.89 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N06S4L03ATMA2 infineonipd90n06s4l03dsv0100en.pdf
IPD90N06S4L03ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1555 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
278+131.54 грн
500+118.39 грн
1000+109.18 грн
Мінімальне замовлення: 278 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N06S4L03ATMA2 infineonipd90n06s4l03dsv0100en.pdf
IPD90N06S4L03ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
278+131.54 грн
500+118.39 грн
1000+109.18 грн
Мінімальне замовлення: 278 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N06S4L03ATMA2 infineonipd90n06s4l03dsv0100en.pdf
IPD90N06S4L03ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 14432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
278+131.54 грн
500+118.39 грн
1000+109.18 грн
10000+93.87 грн
Мінімальне замовлення: 278 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N06S4L03ATMA2 infineonipd90n06s4l03dsv0100en.pdf
IPD90N06S4L03ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
278+131.54 грн
500+118.39 грн
Мінімальне замовлення: 278 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N06S4L03ATMA2 infineon-ipd90n06s4l-03-datasheet-cn.pdf
IPD90N06S4L03ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO252-31
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4231 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+231.20 грн
10+144.34 грн
50+110.71 грн
100+93.74 грн
500+75.90 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N06S4L03ATMA2 infineon_ipd90n06s4l_03_datasheet_en.pdf
IPD90N06S4L03ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFET
на замовлення 2150 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+247.87 грн
10+121.73 грн
100+95.34 грн
500+77.33 грн
1000+75.82 грн
2500+70.34 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N06S4L03ATMA2 INFNS14110-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPD90N06S4L03ATMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD90N06S4L03ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 3500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
на замовлення 15044 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N06S4L03ATMA2 infineonipd90n06s4l03dsv0100en.pdf
IPD90N06S4L03ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 77 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N06S4L03ATMA2 INFNS14110-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPD90N06S4L03ATMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD90N06S4L03ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 3500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
на замовлення 15044 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.