Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD90N06S4L03ATMA2
IPD90N06S4L03ATMA2

IPD90N06S4L03ATMA2 Infineon Technologies

Infineon-IPD90N06S4L_03-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff9881501203869e3b30c7d Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO252-31
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+56.43 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD90N06S4L03ATMA2 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO252-31, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 90A, 10V, Power Dissipation (Max): 150W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 90µA, Supplier Device Package: PG-TO252-3-11, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції IPD90N06S4L03ATMA2 за ціною від 46.74 грн до 175.99 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPD90N06S4L03ATMA2 IPD90N06S4L03ATMA2 Виробник : Infineon Technologies ipd90n06s4l-03_ds_10.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 90A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+66.22 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N06S4L03ATMA2 IPD90N06S4L03ATMA2 Виробник : Infineon Technologies infineonipd90n06s4l03dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+66.65 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N06S4L03ATMA2 IPD90N06S4L03ATMA2 Виробник : Infineon Technologies infineonipd90n06s4l03dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+71.28 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N06S4L03ATMA2 IPD90N06S4L03ATMA2 Виробник : INFINEON INFNS14110-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD90N06S4L03ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 3500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 15459 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+85.29 грн
500+61.90 грн
1000+52.82 грн
5000+46.74 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N06S4L03ATMA2 IPD90N06S4L03ATMA2 Виробник : Infineon Technologies infineonipd90n06s4l03dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1555 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
278+111.13 грн
500+100.02 грн
1000+92.24 грн
Мінімальне замовлення: 278
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N06S4L03ATMA2 IPD90N06S4L03ATMA2 Виробник : Infineon Technologies infineonipd90n06s4l03dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
278+111.13 грн
500+100.02 грн
1000+92.24 грн
Мінімальне замовлення: 278
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N06S4L03ATMA2 IPD90N06S4L03ATMA2 Виробник : Infineon Technologies infineonipd90n06s4l03dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 14432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
278+111.13 грн
500+100.02 грн
1000+92.24 грн
10000+79.30 грн
Мінімальне замовлення: 278
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N06S4L03ATMA2 IPD90N06S4L03ATMA2 Виробник : Infineon Technologies infineonipd90n06s4l03dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
278+111.13 грн
500+100.02 грн
Мінімальне замовлення: 278
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N06S4L03ATMA2 IPD90N06S4L03ATMA2 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD90N06S4L_03-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff9881501203869e3b30c7d Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO252-31
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7056 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+166.47 грн
10+102.06 грн
100+79.85 грн
500+62.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N06S4L03ATMA2 IPD90N06S4L03ATMA2 Виробник : INFINEON INFNS14110-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD90N06S4L03ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 3500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 15459 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+170.93 грн
10+109.40 грн
100+85.29 грн
500+61.90 грн
1000+52.82 грн
5000+46.74 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N06S4L03ATMA2 IPD90N06S4L03ATMA2 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPD90N06S4L_03_DS_v01_00_en.pdf MOSFETs MOSFET
на замовлення 2793 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+175.99 грн
10+110.39 грн
100+75.35 грн
500+64.00 грн
1000+59.20 грн
2500+54.40 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N06S4L03ATMA2 IPD90N06S4L03ATMA2 Виробник : Infineon Technologies infineonipd90n06s4l03dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 77 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N06S4L03ATMA2 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD90N06S4L_03-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff9881501203869e3b30c7d Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 60V; 90A; 150W; DPAK,TO252; SMT
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 90A
Power dissipation: 150W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: 16V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 170nC
Kind of channel: enhancement
Electrical mounting: SMT
Application: automotive industry
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+79.48 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N06S4L03ATMA2 IPD90N06S4L03ATMA2 Виробник : Infineon Technologies infineonipd90n06s4l03dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N06S4L03ATMA2 IPD90N06S4L03ATMA2 Виробник : Infineon Technologies infineonipd90n06s4l03dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.