Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD90N06S4L03ATMA2
IPD90N06S4L03ATMA2

IPD90N06S4L03ATMA2 Infineon Technologies

Infineon-IPD90N06S4L_03-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff9881501203869e3b30c7d Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO252-31
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+58.48 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD90N06S4L03ATMA2 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO252-31, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 90A, 10V, Power Dissipation (Max): 150W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 90µA, Supplier Device Package: PG-TO252-3-11, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції IPD90N06S4L03ATMA2 за ціною від 57.02 грн до 198.68 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPD90N06S4L03ATMA2 IPD90N06S4L03ATMA2 Виробник : Infineon Technologies infineonipd90n06s4l03dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+68.23 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N06S4L03ATMA2 IPD90N06S4L03ATMA2 Виробник : Infineon Technologies ipd90n06s4l-03_ds_10.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 90A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+69.41 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N06S4L03ATMA2 IPD90N06S4L03ATMA2 Виробник : Infineon Technologies infineonipd90n06s4l03dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+72.98 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N06S4L03ATMA2 IPD90N06S4L03ATMA2 Виробник : INFINEON INFNS14110-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD90N06S4L03ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 3500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 15449 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+96.75 грн
500+70.37 грн
1000+60.05 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N06S4L03ATMA2 IPD90N06S4L03ATMA2 Виробник : Infineon Technologies infineonipd90n06s4l03dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1555 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
278+113.78 грн
500+102.40 грн
1000+94.44 грн
Мінімальне замовлення: 278
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N06S4L03ATMA2 IPD90N06S4L03ATMA2 Виробник : Infineon Technologies infineonipd90n06s4l03dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
278+113.78 грн
500+102.40 грн
1000+94.44 грн
Мінімальне замовлення: 278
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N06S4L03ATMA2 IPD90N06S4L03ATMA2 Виробник : Infineon Technologies infineonipd90n06s4l03dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 14432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
278+113.78 грн
500+102.40 грн
1000+94.44 грн
10000+81.19 грн
Мінімальне замовлення: 278
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N06S4L03ATMA2 IPD90N06S4L03ATMA2 Виробник : Infineon Technologies infineonipd90n06s4l03dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
278+113.78 грн
500+102.40 грн
Мінімальне замовлення: 278
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N06S4L03ATMA2 IPD90N06S4L03ATMA2 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPD90N06S4L_03_DS_v01_00_en.pdf MOSFETs MOSFET
на замовлення 2478 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+184.47 грн
10+115.71 грн
100+78.98 грн
500+67.08 грн
1000+62.05 грн
2500+57.02 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N06S4L03ATMA2 IPD90N06S4L03ATMA2 Виробник : INFINEON INFNS14110-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD90N06S4L03ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 3500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 15449 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+194.40 грн
50+124.52 грн
100+96.75 грн
500+70.37 грн
1000+60.05 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N06S4L03ATMA2 IPD90N06S4L03ATMA2 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD90N06S4L_03-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff9881501203869e3b30c7d Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO252-31
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5555 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+198.68 грн
10+123.61 грн
100+84.91 грн
500+64.69 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N06S4L03ATMA2 IPD90N06S4L03ATMA2 Виробник : Infineon Technologies infineonipd90n06s4l03dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 77 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N06S4L03ATMA2 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD90N06S4L_03-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff9881501203869e3b30c7d Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 60V; 90A; Idm: 90A; 150W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 60V
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: 16V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 150W
Drain current: 90A
Pulsed drain current: 90A
Application: automotive industry
Technology: MOSFET
Gate charge: 170nC
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+84.21 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N06S4L03ATMA2 IPD90N06S4L03ATMA2 Виробник : Infineon Technologies infineonipd90n06s4l03dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N06S4L03ATMA2 IPD90N06S4L03ATMA2 Виробник : Infineon Technologies infineonipd90n06s4l03dsv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N06S4L03ATMA2 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD90N06S4L_03-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff9881501203869e3b30c7d Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 150W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Case: DPAK; TO252
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 150W
Drain current: 90A
Application: automotive industry
Gate charge: 170nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.