IPD90N06S4L05ATMA2 Infineon Technologies
на замовлення 2158 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 373+ | 83.53 грн |
| 500+ | 75.18 грн |
| 1000+ | 69.34 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPD90N06S4L05ATMA2 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO252-31, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 90A, 10V, Power Dissipation (Max): 107W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 60µA, Supplier Device Package: PG-TO252-3-11, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8180 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції IPD90N06S4L05ATMA2 за ціною від 41.15 грн до 125.89 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IPD90N06S4L05ATMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 1894 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPD90N06S4L05ATMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO252-31 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 90A, 10V Power Dissipation (Max): 107W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 60µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-11 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8180 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 2241 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPD90N06S4L05ATMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFET |
на замовлення 1822 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPD90N06S4L05ATMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 90A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
IPD90N06S4L05ATMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
IPD90N06S4L05ATMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
IPD90N06S4L05ATMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO252-31 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 90A, 10V Power Dissipation (Max): 107W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 60µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-11 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8180 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |