Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD90N06S4L06ATMA2
IPD90N06S4L06ATMA2

IPD90N06S4L06ATMA2 Infineon Technologies

Infineon-IPD90N06S4L_06-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff98815012038818b620c96
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO252-31
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5680 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+34.03 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD90N06S4L06ATMA2 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD90N06S4L06ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 6300 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 90A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 79W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS-T2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6300µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції IPD90N06S4L06ATMA2 за ціною від 30.17 грн до 126.08 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IPD90N06S4L06ATMA2 IPD90N06S4L06ATMA2 INFINEON INFNS14112-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD90N06S4L06ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 6300 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6300µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1382 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+65.62 грн
500+48.26 грн
1000+41.02 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N06S4L06ATMA2 IPD90N06S4L06ATMA2 INFINEON Infineon-IPD90N06S4L_06-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff98815012038818b620c96 Description: INFINEON - IPD90N06S4L06ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 6300 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6300µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1382 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+114.30 грн
50+84.70 грн
100+59.95 грн
500+44.52 грн
1000+37.64 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N06S4L06ATMA2 IPD90N06S4L06ATMA2 Infineon Technologies Infineon_IPD90N06S4L_06_DS_v01_00_en.pdf MOSFETs MOSFET
на замовлення 1962 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+120.88 грн
10+76.68 грн
100+47.51 грн
500+38.41 грн
1000+35.45 грн
2500+30.66 грн
5000+30.17 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N06S4L06ATMA2 IPD90N06S4L06ATMA2 Infineon Technologies Infineon-IPD90N06S4L_06-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff98815012038818b620c96 Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO252-31
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5680 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3221 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+126.08 грн
10+76.97 грн
100+51.80 грн
500+38.49 грн
1000+35.53 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N06S4L06ATMA2 Infineon Infineon-IPD90N06S4L_06-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff98815012038818b620c96
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N06S4L06ATMA2 INFNS14112-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPD90N06S4L06ATMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD90N06S4L06ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 6300 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6300µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1382 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+65.62 грн
500+48.26 грн
1000+41.02 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N06S4L06ATMA2 Infineon-IPD90N06S4L_06-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff98815012038818b620c96
IPD90N06S4L06ATMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD90N06S4L06ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 6300 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6300µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1382 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
8+114.30 грн
50+84.70 грн
100+59.95 грн
500+44.52 грн
1000+37.64 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N06S4L06ATMA2 Infineon_IPD90N06S4L_06_DS_v01_00_en.pdf
IPD90N06S4L06ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFET
на замовлення 1962 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+120.88 грн
10+76.68 грн
100+47.51 грн
500+38.41 грн
1000+35.45 грн
2500+30.66 грн
5000+30.17 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N06S4L06ATMA2 Infineon-IPD90N06S4L_06-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff98815012038818b620c96
IPD90N06S4L06ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO252-31
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5680 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3221 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+126.08 грн
10+76.97 грн
100+51.80 грн
500+38.49 грн
1000+35.53 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N06S4L06ATMA2 Infineon-IPD90N06S4L_06-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff98815012038818b620c96
Виробник: Infineon
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.