Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD90N08S405ATMA1
IPD90N08S405ATMA1

IPD90N08S405ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPD90N08S4-05-DataSheet-v01_10-EN.pdf?fileId=8ac78c8c88704c7a01887149637d3941
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 144W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+58.31 грн
5000+52.68 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD90N08S405ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD90N08S405ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 90 A, 4500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 90A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 144W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 144W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS-T2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0045ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції IPD90N08S405ATMA1 за ціною від 59.36 грн до 193.97 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPD90N08S405ATMA1 IPD90N08S405ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD90N08S4-05-DataSheet-v01_10-EN.pdf?fileId=8ac78c8c88704c7a01887149637d3941 Description: MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 144W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+193.97 грн
10+120.97 грн
100+83.13 грн
500+62.85 грн
1000+59.36 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N08S405ATMA1 IPD90N08S405ATMA1 INFINEON Infineon-IPD90N08S4-05-DataSheet-v01_10-EN.pdf?fileId=8ac78c8c88704c7a01887149637d3941 Description: INFINEON - IPD90N08S405ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 90 A, 4500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 144W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4418 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N08S405ATMA1 IPD90N08S405ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPD90N08S4_05_DataSheet_v01_10_EN.pdf MOSFETs N-CHANNEL 75/80V
на замовлення 3202 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N08S405ATMA1 IPD90N08S405ATMA1 INFINEON Infineon-IPD90N08S4-05-DataSheet-v01_10-EN.pdf?fileId=8ac78c8c88704c7a01887149637d3941 Description: INFINEON - IPD90N08S405ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 90 A, 4500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 144W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 144W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0045ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4418 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N08S405ATMA1 Infineon Infineon-IPD90N08S4-05-DataSheet-v01_10-EN.pdf?fileId=8ac78c8c88704c7a01887149637d3941
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N08S405ATMA1 Infineon-IPD90N08S4-05-DataSheet-v01_10-EN.pdf?fileId=8ac78c8c88704c7a01887149637d3941
IPD90N08S405ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 144W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+193.97 грн
10+120.97 грн
100+83.13 грн
500+62.85 грн
1000+59.36 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N08S405ATMA1 Infineon-IPD90N08S4-05-DataSheet-v01_10-EN.pdf?fileId=8ac78c8c88704c7a01887149637d3941
IPD90N08S405ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD90N08S405ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 90 A, 4500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 144W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4418 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N08S405ATMA1 Infineon_IPD90N08S4_05_DataSheet_v01_10_EN.pdf
IPD90N08S405ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-CHANNEL 75/80V
на замовлення 3202 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N08S405ATMA1 Infineon-IPD90N08S4-05-DataSheet-v01_10-EN.pdf?fileId=8ac78c8c88704c7a01887149637d3941
IPD90N08S405ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD90N08S405ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 90 A, 4500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 144W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 144W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0045ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4418 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N08S405ATMA1 Infineon-IPD90N08S4-05-DataSheet-v01_10-EN.pdf?fileId=8ac78c8c88704c7a01887149637d3941
Виробник: Infineon
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.