IPD90N10S406ATMA1 INFINEON
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD90N10S406ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 6700 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 136W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0059ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6700µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 99.50 грн |
| 500+ | 68.42 грн |
| 1000+ | 60.33 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPD90N10S406ATMA1 INFINEON
Description: INFINEON - IPD90N10S406ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 6700 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 90A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 136W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 136W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS-T2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0059ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6700µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції IPD90N10S406ATMA1 за ціною від 53.78 грн до 208.54 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPD90N10S406ATMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFET_(75V 120V( |
на замовлення 1834 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IPD90N10S406ATMA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 90A TO252-3 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4870 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO252-3-313 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA Power Dissipation (Max): 136W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 90A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 2280 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| IPD90N10S406ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFET_(75V 120V(
MOSFETs MOSFET_(75V 120V(
на замовлення 1834 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 175.97 грн |
| 10+ | 113.48 грн |
| 100+ | 76.83 грн |
| 500+ | 63.65 грн |
| 1000+ | 60.26 грн |
| 2500+ | 53.78 грн |
| IPD90N10S406ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 90A TO252-3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4870 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 90A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET N-CH 100V 90A TO252-3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4870 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 90A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 208.54 грн |
| 10+ | 129.88 грн |
| 100+ | 89.47 грн |
| 500+ | 67.75 грн |
| 1000+ | 62.55 грн |