IPD90P03P404ATMA1 Infineon Technologies


infineon-ipd90p03p4-04-datasheet-v01_01-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 90A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 197483 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
289+121.76 грн
500+109.70 грн
1000+101.16 грн
10000+86.97 грн
100000+67.48 грн
Мінімальне замовлення: 289 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD90P03P404ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD90P03P404ATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 90 A, 4500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 90A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 137W, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm.

Інші пропозиції IPD90P03P404ATMA1 за ціною від 86.97 грн до 121.76 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPD90P03P404ATMA1 IPD90P03P404ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipd90p03p4-04-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 90A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 22912 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
289+121.76 грн
500+109.70 грн
1000+101.16 грн
10000+86.97 грн
Мінімальне замовлення: 289 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90P03P404ATMA1 IPD90P03P404ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPD90P03P4_04_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs P-Ch -30V 90A DPAK-2 OptiMOS-P2
на замовлення 512 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90P03P404ATMA1 IPD90P03P404ATMA1 INFINEON Infineon-IPD90P03P4_04-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304314dca3890114ef902baa05f9&fileId=db3a30431ddc9372011e07ecafdb27ed&ack=t Description: INFINEON - IPD90P03P404ATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 90 A, 4500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 137W
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm
на замовлення 10058 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90P03P404ATMA1 IPD90P03P404ATMA1 INFINEON INFNS12810-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD90P03P404ATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 90 A, 4500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 137W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 10933 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90P03P404ATMA1 Infineon Infineon-IPD90P03P4_04-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304314dca3890114ef902baa05f9&fileId=db3a30431ddc9372011e07ecafdb27ed&ack=t
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90P03P404ATMA1 infineon-ipd90p03p4-04-datasheet-v01_01-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 90A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 22912 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
289+121.76 грн
500+109.70 грн
1000+101.16 грн
10000+86.97 грн
Мінімальне замовлення: 289 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90P03P404ATMA1 Infineon_IPD90P03P4_04_DataSheet_v01_01_EN.pdf
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs P-Ch -30V 90A DPAK-2 OptiMOS-P2
на замовлення 512 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90P03P404ATMA1 Infineon-IPD90P03P4_04-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304314dca3890114ef902baa05f9&fileId=db3a30431ddc9372011e07ecafdb27ed&ack=t
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD90P03P404ATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 90 A, 4500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 137W
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm
на замовлення 10058 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90P03P404ATMA1 INFNS12810-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD90P03P404ATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 90 A, 4500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 137W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 10933 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90P03P404ATMA1 Infineon-IPD90P03P4_04-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304314dca3890114ef902baa05f9&fileId=db3a30431ddc9372011e07ecafdb27ed&ack=t
Виробник: Infineon
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.