IPD90P03P404ATMA2 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 30V 90A TO252-31
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 137W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 253µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10300 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 52.86 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPD90P03P404ATMA2 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPD90P03P404ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 90 A, 4500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 90A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 137W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS-P2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IPD90P03P404ATMA2 за ціною від 54.94 грн до 197.59 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPD90P03P404ATMA2 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPD90P03P404ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 90 A, 4500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 90A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 137W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS-P2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1495 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPD90P03P404ATMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AECQ |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPD90P03P404ATMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AECQ |
на замовлення 2375 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPD90P03P404ATMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AECQ |
на замовлення 12011 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPD90P03P404ATMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 30V 90A TO252-31 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 90A, 10V Power Dissipation (Max): 137W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 253µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-11 Grade: Automotive Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10300 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 10986 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPD90P03P404ATMA2 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPD90P03P404ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 90 A, 4500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 90A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 137W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS-P2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1495 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPD90P03P404ATMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFET_(20V 40V) |
на замовлення 3301 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPD90P03P404ATMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AECQ |
на замовлення 923 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPD90P03P404ATMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AECQ |
на замовлення 923 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPD90P03P404ATMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AECQ |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| IPD90P03P404ATMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
P-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 90 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 10300 @ 25, Qg, нКл = 13 @ 10, Rds = 4,5 мОм, Ugs(th) = 3 В @ 253 мкА, Р, Вт = 137, Тексп, °C = -55...+175,... Група товару: Транзистори Корпус: DPAK-3 Од. вим: шт кількість в упаковці: 2500 шт |
товару немає в наявності |