Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD90P03P404ATMA2
IPD90P03P404ATMA2

IPD90P03P404ATMA2 Infineon Technologies

Infineon-IPD90P03P4-04-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=db3a30431ddc9372011e07ecafdb27ed
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 30V 90A TO252-31
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 253µA
Power Dissipation (Max): 137W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 90A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+52.01 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD90P03P404ATMA2 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD90P03P404ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 90 A, 4500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 90A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 137W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS-P2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IPD90P03P404ATMA2 за ціною від 57.53 грн до 198.92 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPD90P03P404ATMA2 IPD90P03P404ATMA2 Infineon Technologies infineon-ipd90p03p4-04-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AECQ
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+92.70 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90P03P404ATMA2 IPD90P03P404ATMA2 Infineon Technologies infineon-ipd90p03p4-04-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AECQ
на замовлення 2375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
137+103.03 грн
155+90.85 грн
162+87.10 грн
500+72.25 грн
2000+61.30 грн
Мінімальне замовлення: 137 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90P03P404ATMA2 IPD90P03P404ATMA2 Infineon Technologies infineon-ipd90p03p4-04-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AECQ
на замовлення 12011 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
289+121.76 грн
500+109.70 грн
1000+101.16 грн
10000+86.97 грн
Мінімальне замовлення: 289 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90P03P404ATMA2 IPD90P03P404ATMA2 Infineon Technologies Infineon-IPD90P03P4-04-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=db3a30431ddc9372011e07ecafdb27ed Description: MOSFET P-CH 30V 90A TO252-31
Power Dissipation (Max): 137W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 90A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 253µA
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 10986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+148.56 грн
10+103.99 грн
100+76.09 грн
500+58.68 грн
1000+57.53 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90P03P404ATMA2 IPD90P03P404ATMA2 Infineon Technologies infineon-ipd90p03p4-04-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AECQ
на замовлення 923 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+198.92 грн
10+141.97 грн
25+136.48 грн
100+101.82 грн
250+91.75 грн
500+64.67 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90P03P404ATMA2 IPD90P03P404ATMA2 Infineon Technologies infineon-ipd90p03p4-04-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AECQ
на замовлення 923 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
71+198.92 грн
99+141.97 грн
103+136.48 грн
134+101.82 грн
250+91.75 грн
500+64.67 грн
Мінімальне замовлення: 71 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90P03P404ATMA2 IPD90P03P404ATMA2 Infineon Technologies Infineon_IPD90P03P4_04_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 2141 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90P03P404ATMA2 IPD90P03P404ATMA2 INFINEON INFNS12810-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD90P03P404ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 90 A, 4500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 137W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90P03P404ATMA2 IPD90P03P404ATMA2 INFINEON INFNS12810-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD90P03P404ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 90 A, 4500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 137W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90P03P404ATMA2 infineon-ipd90p03p4-04-datasheet-v01_01-en.pdf
IPD90P03P404ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AECQ
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+92.70 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90P03P404ATMA2 infineon-ipd90p03p4-04-datasheet-v01_01-en.pdf
IPD90P03P404ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AECQ
на замовлення 2375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
137+103.03 грн
155+90.85 грн
162+87.10 грн
500+72.25 грн
2000+61.30 грн
Мінімальне замовлення: 137 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90P03P404ATMA2 infineon-ipd90p03p4-04-datasheet-v01_01-en.pdf
IPD90P03P404ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AECQ
на замовлення 12011 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
289+121.76 грн
500+109.70 грн
1000+101.16 грн
10000+86.97 грн
Мінімальне замовлення: 289 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90P03P404ATMA2 Infineon-IPD90P03P4-04-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=db3a30431ddc9372011e07ecafdb27ed
IPD90P03P404ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 30V 90A TO252-31
Power Dissipation (Max): 137W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 90A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 253µA
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 10986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+148.56 грн
10+103.99 грн
100+76.09 грн
500+58.68 грн
1000+57.53 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90P03P404ATMA2 infineon-ipd90p03p4-04-datasheet-v01_01-en.pdf
IPD90P03P404ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AECQ
на замовлення 923 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+198.92 грн
10+141.97 грн
25+136.48 грн
100+101.82 грн
250+91.75 грн
500+64.67 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90P03P404ATMA2 infineon-ipd90p03p4-04-datasheet-v01_01-en.pdf
IPD90P03P404ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AECQ
на замовлення 923 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
71+198.92 грн
99+141.97 грн
103+136.48 грн
134+101.82 грн
250+91.75 грн
500+64.67 грн
Мінімальне замовлення: 71 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90P03P404ATMA2 Infineon_IPD90P03P4_04_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IPD90P03P404ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 2141 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90P03P404ATMA2 INFNS12810-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPD90P03P404ATMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD90P03P404ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 90 A, 4500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 137W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90P03P404ATMA2 INFNS12810-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPD90P03P404ATMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD90P03P404ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 90 A, 4500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 137W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.