Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD90P03P4L04ATMA1
IPD90P03P4L04ATMA1

IPD90P03P4L04ATMA1 Infineon Technologies

infineon-ipd90p03p4l-04-datasheet-v01_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 90A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 11560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
289+107.78 грн
500+97.11 грн
1000+89.55 грн
10000+76.99 грн
Мінімальне замовлення: 289
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD90P03P4L04ATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET P-CH 30V 90A TO252-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 90A, 10V, Power Dissipation (Max): 137W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 253µA, Supplier Device Package: PG-TO252-3-11, Grade: Automotive, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): +5V, -16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11300 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції IPD90P03P4L04ATMA1 за ціною від 100.52 грн до 239.01 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPD90P03P4L04ATMA1 IPD90P03P4L04ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd90p03p4l-04-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 90A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+139.25 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90P03P4L04ATMA1 IPD90P03P4L04ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd90p03p4l-04-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 90A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+149.20 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90P03P4L04ATMA1 IPD90P03P4L04ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPD90P03P4L_04_DataSheet_v01_01_EN-3164601.pdf MOSFET P-Ch -30V -90A DPAK-2 OptiMOS-P2
на замовлення 4671 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+239.01 грн
10+183.54 грн
100+148.09 грн
250+135.05 грн
500+121.23 грн
1000+118.16 грн
2500+100.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90P03P4L04ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD90P03P4L_04-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304314dca3890114ef902baa05f9&fileId=db3a30431ddc9372011e07e8373a27c4&ack=t P-канальний ПТ; Udss, В = 30; Id = 90 А; Ptot, Вт = 137; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 11300 @ 25; Qg, нКл = 160 @ 10; Rds = 4,1 мОм @ 90 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+175; Ugs(th) = 2 В @ 253 мкА; DPAK-3
на замовлення 81 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90P03P4L04ATMA1 IPD90P03P4L04ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd90p03p4l-04-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 90A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90P03P4L04ATMA1 IPD90P03P4L04ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD90P03P4L_04-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304314dca3890114ef902baa05f9&fileId=db3a30431ddc9372011e07e8373a27c4&ack=t Description: MOSFET P-CH 30V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 137W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 253µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +5V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11300 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90P03P4L04ATMA1 IPD90P03P4L04ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD90P03P4L_04-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304314dca3890114ef902baa05f9&fileId=db3a30431ddc9372011e07e8373a27c4&ack=t Description: MOSFET P-CH 30V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 137W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 253µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +5V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11300 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90P03P4L04ATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD90P03P4L_04-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304314dca3890114ef902baa05f9&fileId=db3a30431ddc9372011e07e8373a27c4&ack=t Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; OptiMOS® -P2; unipolar; -30V; -90A; 137W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -90A
Pulsed drain current: -360A
Power dissipation: 137W
Case: PG-TO252-3-11
Gate-source voltage: -5...16V
On-state resistance: 4.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS® -P2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.