IPD90P03P4L04ATMA1 Infineon Technologies
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 289+ | 120.94 грн |
| 500+ | 108.97 грн |
| 1000+ | 100.48 грн |
| 10000+ | 86.39 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPD90P03P4L04ATMA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 30V 90A TO252-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 90A, 10V, Power Dissipation (Max): 137W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 253µA, Supplier Device Package: PG-TO252-3-11, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): +5V, -16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11300 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції IPD90P03P4L04ATMA1 за ціною від 91.10 грн до 216.62 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IPD90P03P4L04ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET P-CH 30V 90A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPD90P03P4L04ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 90A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPD90P03P4L04ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET P-Ch -30V -90A DPAK-2 OptiMOS-P2 |
на замовлення 4671 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPD90P03P4L04ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 30V 90A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 90A, 10V Power Dissipation (Max): 137W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 253µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-11 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +5V, -16V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11300 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
IPD90P03P4L04ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 30V 90A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 90A, 10V Power Dissipation (Max): 137W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 253µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-11 Grade: Automotive Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +5V, -16V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11300 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |