Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD90P03P4L04ATMA2
IPD90P03P4L04ATMA2

IPD90P03P4L04ATMA2 Infineon Technologies

Infineon-IPD90P03P4L-04-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=db3a30431ddc9372011e07e8373a27c4
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 30V 90A TO252-31
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 137W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 253µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Vgs (Max): +5V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11300 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+59.23 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 2500 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD90P03P4L04ATMA2 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD90P03P4L04ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 90 A, 3300 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 90A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, Verlustleistung: 137W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS-P2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm.

Інші пропозиції IPD90P03P4L04ATMA2 за ціною від 58.65 грн до 284.91 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPD90P03P4L04ATMA2 IPD90P03P4L04ATMA2 Infineon Technologies infineon-ipd90p03p4l-04-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+79.84 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90P03P4L04ATMA2 IPD90P03P4L04ATMA2 Infineon Technologies infineon-ipd90p03p4l-04-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+79.88 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90P03P4L04ATMA2 IPD90P03P4L04ATMA2 Infineon Technologies Infineon-IPD90P03P4L-04-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=db3a30431ddc9372011e07e8373a27c4 Description: MOSFET P-CH 30V 90A TO252-31
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 137W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 253µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Vgs (Max): +5V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11300 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+197.46 грн
10+122.93 грн
50+93.85 грн
100+79.28 грн
500+63.85 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90P03P4L04ATMA2 IPD90P03P4L04ATMA2 Infineon Technologies infineon_ipd90p03p4l_04_datasheet_en.pdf MOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 15828 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+214.16 грн
10+104.29 грн
100+81.91 грн
500+66.04 грн
1000+64.14 грн
2500+58.65 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90P03P4L04ATMA2 IPD90P03P4L04ATMA2 Infineon Technologies infineon-ipd90p03p4l-04-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 4315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
60+237.47 грн
Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90P03P4L04ATMA2 IPD90P03P4L04ATMA2 Infineon Technologies infineon-ipd90p03p4l-04-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 4315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+284.91 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90P03P4L04ATMA2 IPD90P03P4L04ATMA2 INFINEON INFNS12928-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD90P03P4L04ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 90 A, 3300 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 137W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
на замовлення 3607 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90P03P4L04ATMA2 IPD90P03P4L04ATMA2 INFINEON INFNS12928-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD90P03P4L04ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 90 A, 3300 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 137W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
на замовлення 3607 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90P03P4L04ATMA2 Infineon Technologies IPD90P03P4L_Infineon.pdf P-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 90 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 11300 @ 25, Qg, нКл = 160 @ 10, Rds = 4,1 мОм @ 90 A, 10 В, Ugs(th) = 2 В @ 253 мкА, Р, Вт = 137 Вт, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: DPAK-3 Очікується: 520 Од. ви
кількість в упаковці: 2500 шт
на замовлення 90 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
2500+64.25 грн
Мінімальне замовлення: 90 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90P03P4L04ATMA2 infineon-ipd90p03p4l-04-datasheet-v01_01-en.pdf
IPD90P03P4L04ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+79.84 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90P03P4L04ATMA2 infineon-ipd90p03p4l-04-datasheet-v01_01-en.pdf
IPD90P03P4L04ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+79.88 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90P03P4L04ATMA2 Infineon-IPD90P03P4L-04-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=db3a30431ddc9372011e07e8373a27c4
IPD90P03P4L04ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 30V 90A TO252-31
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 137W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 253µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Vgs (Max): +5V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11300 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+197.46 грн
10+122.93 грн
50+93.85 грн
100+79.28 грн
500+63.85 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90P03P4L04ATMA2 infineon_ipd90p03p4l_04_datasheet_en.pdf
IPD90P03P4L04ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 15828 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+214.16 грн
10+104.29 грн
100+81.91 грн
500+66.04 грн
1000+64.14 грн
2500+58.65 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90P03P4L04ATMA2 infineon-ipd90p03p4l-04-datasheet-v01_01-en.pdf
IPD90P03P4L04ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 4315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
60+237.47 грн
Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90P03P4L04ATMA2 infineon-ipd90p03p4l-04-datasheet-v01_01-en.pdf
IPD90P03P4L04ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 4315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+284.91 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90P03P4L04ATMA2 INFNS12928-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPD90P03P4L04ATMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD90P03P4L04ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 90 A, 3300 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 137W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
на замовлення 3607 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90P03P4L04ATMA2 INFNS12928-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPD90P03P4L04ATMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD90P03P4L04ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 90 A, 3300 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 137W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
на замовлення 3607 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90P03P4L04ATMA2 IPD90P03P4L_Infineon.pdf
Виробник: Infineon Technologies
P-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 90 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 11300 @ 25, Qg, нКл = 160 @ 10, Rds = 4,1 мОм @ 90 A, 10 В, Ugs(th) = 2 В @ 253 мкА, Р, Вт = 137 Вт, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: DPAK-3 Очікується: 520 Од. ви
кількість в упаковці: 2500 шт
на замовлення 90 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+64.25 грн
Мінімальне замовлення: 90 шт
В кошику  од. на суму  грн.