Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD90P03P4L04ATMA2
IPD90P03P4L04ATMA2

IPD90P03P4L04ATMA2 Infineon Technologies

Infineon-IPD90P03P4L-04-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=db3a30431ddc9372011e07e8373a27c4
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 30V 90A TO252-31
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): +5V, -16V
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 253µA
Power Dissipation (Max): 137W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 90A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+53.82 грн
5000+50.68 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD90P03P4L04ATMA2 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD90P03P4L04ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 90 A, 3300 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 90A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 137W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS-P2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції IPD90P03P4L04ATMA2 за ціною від 48.49 грн до 222.02 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IPD90P03P4L04ATMA2 IPD90P03P4L04ATMA2 INFINEON Infineon-IPD90P03P4L-04-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=db3a30431ddc9372011e07e8373a27c4 Description: INFINEON - IPD90P03P4L04ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 90 A, 3300 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 137W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2516 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+99.50 грн
500+73.53 грн
1000+65.41 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90P03P4L04ATMA2 IPD90P03P4L04ATMA2 Infineon Technologies Infineon-IPD90P03P4L-04-DataSheet-v01_01-EN.pdf MOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 6431 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+180.08 грн
10+118.34 грн
100+71.19 грн
500+57.02 грн
1000+55.68 грн
2500+48.49 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90P03P4L04ATMA2 IPD90P03P4L04ATMA2 Infineon Technologies Infineon-IPD90P03P4L-04-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=db3a30431ddc9372011e07e8373a27c4 Description: MOSFET P-CH 30V 90A TO252-31
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): +5V, -16V
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 253µA
Power Dissipation (Max): 137W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 90A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
на замовлення 5103 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+180.79 грн
10+112.24 грн
100+77.00 грн
500+58.22 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90P03P4L04ATMA2 IPD90P03P4L04ATMA2 INFINEON Infineon-IPD90P03P4L-04-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=db3a30431ddc9372011e07e8373a27c4 Description: INFINEON - IPD90P03P4L04ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 90 A, 3300 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 137W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2516 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+222.02 грн
10+143.90 грн
100+99.50 грн
500+73.53 грн
1000+65.41 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90P03P4L04ATMA2 Infineon Technologies IPD90P03P4L_Infineon.pdf P-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 90 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 11300 @ 25, Qg, нКл = 160 @ 10, Rds = 4,1 мОм @ 90 A, 10 В, Ugs(th) = 2 В @ 253 мкА, Р, Вт = 137 Вт, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: DPAK-3 Очікується: 520 Од. ви
кількість в упаковці: 2500 шт
на замовлення 1089 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
2500+64.25 грн
Мінімальне замовлення: 1089 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90P03P4L04ATMA2 Infineon Infineon-IPD90P03P4L-04-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=db3a30431ddc9372011e07e8373a27c4
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90P03P4L04ATMA2 Infineon-IPD90P03P4L-04-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=db3a30431ddc9372011e07e8373a27c4
IPD90P03P4L04ATMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD90P03P4L04ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 90 A, 3300 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 137W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2516 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+99.50 грн
500+73.53 грн
1000+65.41 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90P03P4L04ATMA2 Infineon-IPD90P03P4L-04-DataSheet-v01_01-EN.pdf
IPD90P03P4L04ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 6431 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+180.08 грн
10+118.34 грн
100+71.19 грн
500+57.02 грн
1000+55.68 грн
2500+48.49 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90P03P4L04ATMA2 Infineon-IPD90P03P4L-04-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=db3a30431ddc9372011e07e8373a27c4
IPD90P03P4L04ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 30V 90A TO252-31
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): +5V, -16V
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 253µA
Power Dissipation (Max): 137W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 90A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
на замовлення 5103 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+180.79 грн
10+112.24 грн
100+77.00 грн
500+58.22 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90P03P4L04ATMA2 Infineon-IPD90P03P4L-04-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=db3a30431ddc9372011e07e8373a27c4
IPD90P03P4L04ATMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD90P03P4L04ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 90 A, 3300 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 137W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2516 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+222.02 грн
10+143.90 грн
100+99.50 грн
500+73.53 грн
1000+65.41 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90P03P4L04ATMA2 IPD90P03P4L_Infineon.pdf
Виробник: Infineon Technologies
P-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 90 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 11300 @ 25, Qg, нКл = 160 @ 10, Rds = 4,1 мОм @ 90 A, 10 В, Ugs(th) = 2 В @ 253 мкА, Р, Вт = 137 Вт, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: DPAK-3 Очікується: 520 Од. ви
кількість в упаковці: 2500 шт
на замовлення 1089 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+64.25 грн
Мінімальне замовлення: 1089 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90P03P4L04ATMA2 Infineon-IPD90P03P4L-04-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=db3a30431ddc9372011e07e8373a27c4
Виробник: Infineon
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.