IPD90P04P405ATMA2

IPD90P04P405ATMA2 Infineon Technologies


infineon-ipd90p04p4-05-datasheet-v01_02-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 40V 90A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 17500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+68.8 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD90P04P405ATMA2 Infineon Technologies

Description: MOSFET P-CH 40V 90A TO252-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 90A, 10V, Power Dissipation (Max): 125W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: PG-TO252-3-313, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 154 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10300 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IPD90P04P405ATMA2 за ціною від 70.23 грн до 182.43 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IPD90P04P405ATMA2 IPD90P04P405ATMA2 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPD90P04P4_05_DataSheet_v01_02_EN-3362617.pdf MOSFET MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 2373 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+182.43 грн
10+ 149.35 грн
100+ 103.36 грн
250+ 101.37 грн
500+ 87.46 грн
1000+ 74.87 грн
2500+ 70.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPD90P04P405ATMA2 IPD90P04P405ATMA2 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD90P04P4-05-DataSheet-v01_02-EN.pdf?fileId=db3a304329a0f6ee0129dbba2b4d5c79 Description: MOSFET P-CH 40V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 154 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10300 pF @ 25 V
товар відсутній
IPD90P04P405ATMA2 IPD90P04P405ATMA2 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD90P04P4-05-DataSheet-v01_02-EN.pdf?fileId=db3a304329a0f6ee0129dbba2b4d5c79 Description: MOSFET P-CH 40V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 154 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10300 pF @ 25 V
товар відсутній