Інші пропозиції IPD90P04P405ATMA2 за ціною від 50.84 грн до 193.20 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IPD90P04P405ATMA2 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 40V 90A TO252-3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 90A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-313 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 154 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10300 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IPD90P04P405ATMA2 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 5973 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IPD90P04P405ATMA2 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 1326 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IPD90P04P405ATMA2 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 15374 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IPD90P04P405ATMA2 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 15374 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IPD90P04P405ATMA2 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 40V 90A TO252-3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 90A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-313 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 154 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10300 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 8423 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IPD90P04P405ATMA2 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPD90P04P405ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 90 A, 4700 µohm, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 90A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS P2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4700µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 12670 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
IPD90P04P405ATMA2 | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFET_(20V 40V) |
на замовлення 4228 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
IPD90P04P405ATMA2 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPD90P04P405ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 90 A, 4700 µohm, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 90A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS P2 Series productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4700µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 12670 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| IPD90P04P405ATMA2 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 40V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 154 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10300 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET P-CH 40V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 154 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10300 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 57.63 грн |
| 5000+ | 52.04 грн |
| 7500+ | 50.84 грн |
| IPD90P04P405ATMA2 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET P-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 5973 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 284+ | 124.10 грн |
| 500+ | 111.69 грн |
| 1000+ | 103.01 грн |
| IPD90P04P405ATMA2 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET P-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1326 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 93+ | 152.67 грн |
| 133+ | 105.84 грн |
| 134+ | 105.59 грн |
| IPD90P04P405ATMA2 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET P-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 15374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 159.60 грн |
| 10+ | 110.71 грн |
| 100+ | 98.62 грн |
| 250+ | 92.93 грн |
| 500+ | 76.35 грн |
| 1000+ | 69.68 грн |
| 2500+ | 60.21 грн |
| IPD90P04P405ATMA2 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET P-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 15374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 89+ | 159.60 грн |
| IPD90P04P405ATMA2 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 40V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 154 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10300 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET P-CH 40V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 154 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10300 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8423 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 193.20 грн |
| 10+ | 119.93 грн |
| 100+ | 82.34 грн |
| 500+ | 62.18 грн |
| 1000+ | 58.40 грн |
| IPD90P04P405ATMA2 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD90P04P405ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 90 A, 4700 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS P2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4700µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IPD90P04P405ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 90 A, 4700 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS P2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4700µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 12670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IPD90P04P405ATMA2 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFET_(20V 40V)
MOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 4228 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IPD90P04P405ATMA2 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD90P04P405ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 90 A, 4700 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS P2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4700µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IPD90P04P405ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 90 A, 4700 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS P2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4700µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 12670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
З цим товаром купують
| 1N4448W Код товару: 160505
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Yangjie
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні
Корпус: SOD-123
Uзвор., В: 100 В
Iвипр., А: 0,25 А
Опис: Комутуючий діод швидкий TRR: 4 ns
Монтаж: SMD
Падіння напруги Vf: 1 В
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні
Корпус: SOD-123
Uзвор., В: 100 В
Iвипр., А: 0,25 А
Опис: Комутуючий діод швидкий TRR: 4 ns
Монтаж: SMD
Падіння напруги Vf: 1 В
у наявності: 2023 шт
- 1831 шт - склад
- 83 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 9 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 100 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 14+ | 1.50 грн |
| 19+ | 1.10 грн |
| 100+ | 0.90 грн |
| 1000+ | 0.70 грн |
| CDRH104RNP-5R2NC (5.2uH, ±30%, Idc=5.5A, Rdc max/typ=22/16 mOhm, SMD: 10.0x10.2mm, h=3.8mm) Sumida (дросель силовий) Код товару: 41268
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Sumida
Індуктивності, дроселі > Дроселі силові SMD
Номінал: 5,2 мкГн
Точність: ±30%
Характеристики: Силова, дротяна в броньованому феритовому осерді, 5,2uH, ±30%, Idc=5.5A, Rdc max/typ=22/16 mOhm, SMD: 10.0x10.2mm, h=3.8mm
Тип: CDRH104
Габарити: 10,0x10,2 мм, h=3,8 мм
Робочий струм, А: 5,5 А
УКТЗЕД: 8504 50 20 90
Індуктивності, дроселі > Дроселі силові SMD
Номінал: 5,2 мкГн
Точність: ±30%
Характеристики: Силова, дротяна в броньованому феритовому осерді, 5,2uH, ±30%, Idc=5.5A, Rdc max/typ=22/16 mOhm, SMD: 10.0x10.2mm, h=3.8mm
Тип: CDRH104
Габарити: 10,0x10,2 мм, h=3,8 мм
Робочий струм, А: 5,5 А
УКТЗЕД: 8504 50 20 90
товару немає в наявності
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 20.00 грн |
| Світлодіод червоний/зелений, 5 mm, загальный анод, OSRPPA5B32A OptoSupply Код товару: 109991
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник: OptoSupply
Світлодіоди > Світлодіоди видимого спектра вивідні
Колір свічення: червоний/зелений
Корпус/ Розміри: 5 мм
Тип лінзи: дифузна
Сила світла/ Світловий потік: 1600 mcd
Кут огляду: 130°
Форма: Кругла
Світлодіоди > Світлодіоди видимого спектра вивідні
Колір свічення: червоний/зелений
Корпус/ Розміри: 5 мм
Тип лінзи: дифузна
Сила світла/ Світловий потік: 1600 mcd
Кут огляду: 130°
Форма: Кругла
у наявності: 585 шт
- 585 шт - склад
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 12.50 грн |
| 10+ | 9.90 грн |
| 100+ | 8.90 грн |
| Запобіжник автомобільний medium 10A (червоний L-KLS5-270-010-A) Код товару: 178167
3
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: KLS
Запобіжники (плавкі та самовідтворювані) > Автомобільні запобіжники
Розмір: medium (19мм)
Номінальний струм, А: 10 А
Колір: червоний
Тип: Плавкий
Запобіжники (плавкі та самовідтворювані) > Автомобільні запобіжники
Розмір: medium (19мм)
Номінальний струм, А: 10 А
Колір: червоний
Тип: Плавкий
товару немає в наявності
очікується: 12000 шт
- 12000 шт - очікується 06.10.2026
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 3.00 грн |
| 10+ | 2.40 грн |
| 100+ | 1.90 грн |
| BZX55-C3V6 Код товару: 17956
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: YJ/NXP
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Стабілітрони
Корпус: DO-35
Напруга стабілізації Vz, В: 3,6 В
Струм стабілізації Izt, мА: 5 мА
Потужність Pd, Вт: 0,4 Вт
Монтаж: THT
Температурний коефіцієнт: -2,4 мВ/K
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Стабілітрони
Корпус: DO-35
Напруга стабілізації Vz, В: 3,6 В
Струм стабілізації Izt, мА: 5 мА
Потужність Pd, Вт: 0,4 Вт
Монтаж: THT
Температурний коефіцієнт: -2,4 мВ/K
у наявності: 2615 шт
- 1910 шт - склад
- 294 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 2 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 130 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 279 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 2.00 грн |
| 16+ | 1.30 грн |
| 100+ | 1.00 грн |
| 1000+ | 0.80 грн |










