Інші пропозиції IPD90P04P405ATMA2 за ціною від 51.59 грн до 222.02 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IPD90P04P405ATMA2 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 40V 90A TO252-3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 90A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-313 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 154 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10300 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IPD90P04P405ATMA2 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPD90P04P405ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 90 A, 4700 µohm, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 90A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS P2 Series productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4700µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 12670 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPD90P04P405ATMA2 | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFET_(20V 40V) |
на замовлення 4460 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IPD90P04P405ATMA2 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 40V 90A TO252-3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 90A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-313 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 154 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10300 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 4652 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IPD90P04P405ATMA2 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPD90P04P405ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 90 A, 4700 µohm, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 90A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS P2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4700µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 12670 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| IPD90P04P405ATMA2 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 40V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 154 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10300 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET P-CH 40V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 154 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10300 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 54.67 грн |
| IPD90P04P405ATMA2 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD90P04P405ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 90 A, 4700 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS P2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4700µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IPD90P04P405ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 90 A, 4700 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS P2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4700µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 12670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 95.45 грн |
| 500+ | 73.30 грн |
| 1000+ | 64.07 грн |
| 5000+ | 62.66 грн |
| IPD90P04P405ATMA2 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFET_(20V 40V)
MOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 4460 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 175.15 грн |
| 10+ | 106.18 грн |
| 100+ | 74.01 грн |
| 250+ | 73.30 грн |
| 500+ | 60.54 грн |
| 1000+ | 58.22 грн |
| 2500+ | 51.59 грн |
| IPD90P04P405ATMA2 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 40V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 154 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10300 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET P-CH 40V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 154 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10300 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4652 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 183.17 грн |
| 10+ | 113.77 грн |
| 100+ | 78.12 грн |
| 500+ | 59.28 грн |
| IPD90P04P405ATMA2 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD90P04P405ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 90 A, 4700 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS P2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4700µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IPD90P04P405ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 90 A, 4700 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS P2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4700µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 12670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 222.02 грн |
| 10+ | 137.32 грн |
| 100+ | 102.79 грн |
| 500+ | 79.41 грн |
| 1000+ | 64.07 грн |
| 5000+ | 62.66 грн |
З цим товаром купують
| 1N4448W Код товару: 160505
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Yangjie
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні
Корпус: SOD-123
Uзвор., V: 100 V
Iвипр., A: 0,25 A
Монтаж: SMD
Падіння напруги Vf: 1 V
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні
Корпус: SOD-123
Uзвор., V: 100 V
Iвипр., A: 0,25 A
Монтаж: SMD
Падіння напруги Vf: 1 V
у наявності: 1967 шт
- 1875 шт - склад
- 83 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 9 шт - РАДІОМАГ-Львів
очікується: 100 шт
- 100 шт - очікується
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 14+ | 1.50 грн |
| 19+ | 1.10 грн |
| 100+ | 0.90 грн |
| 1000+ | 0.70 грн |
| CDRH104RNP-5R2NC (5.2uH, ±30%, Idc=5.5А, Rdc max/typ=22/16 mOhm, SMD: 10.0x10.2mm, h=3.8mm) Sumida (дросель силовий) Код товару: 41268
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Sumida
Індуктивності, дроселі > Дроселі силові SMD
Номінал: 5,2 µH
Точність: ±30%
Характеристики: Силова, дротяна в броньовому феритовому осерді, 5,2uH, ±30%, Idc=5.5А, Rdc max/typ=22/16 mOhm, SMD: 10.0x10.2mm, h=3.8mm
Тип: CDRH104
Габарити: 10,0x10,2мм, h=3,8мм
Робочий струм, А: 5,5A
Індуктивності, дроселі > Дроселі силові SMD
Номінал: 5,2 µH
Точність: ±30%
Характеристики: Силова, дротяна в броньовому феритовому осерді, 5,2uH, ±30%, Idc=5.5А, Rdc max/typ=22/16 mOhm, SMD: 10.0x10.2mm, h=3.8mm
Тип: CDRH104
Габарити: 10,0x10,2мм, h=3,8мм
Робочий струм, А: 5,5A
товару немає в наявності
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 20.00 грн |
| Світлодіод червоний/зелений, 5 mm, загальный анод, OSRPPA5B32A OptoSupply Код товару: 109991
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник: OptoSupply
Світлодіоди > Світлодіоди видимого спектра вивідні
Колір свічення: червоний/зелений
Корпус/ Розміри: 5 mm
Тип лінзи: дифузна
Сила світла/ Світловий потік: 1600 mcd
Кут огляду: 130°
Форма: Кругла
Світлодіоди > Світлодіоди видимого спектра вивідні
Колір свічення: червоний/зелений
Корпус/ Розміри: 5 mm
Тип лінзи: дифузна
Сила світла/ Світловий потік: 1600 mcd
Кут огляду: 130°
Форма: Кругла
у наявності: 90 шт
- 90 шт - склад
очікується: 500 шт
- 500 шт - очікується 05.07.2026
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 12.50 грн |
| 10+ | 9.90 грн |
| 100+ | 8.90 грн |
| Запобіжник автомобільний medium 10A (червоний L-KLS5-270-010-A) Код товару: 178167
3
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Запобіжники (плавкі та самовідтворювані) > Автомобільні запобіжники
Тип: medium (19мм)
Номин.струм,А: 10A
Колір: червоний
Тип: medium (19мм)
Номин.струм,А: 10A
Колір: червоний
товару немає в наявності
очікується: 12000 шт
- 12000 шт - очікується 06.10.2026
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 3.00 грн |
| 10+ | 2.40 грн |
| 100+ | 1.90 грн |
| BZX55-C3V6 Код товару: 17956
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: YJ/NXP
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Стабілітрони
Корпус: DO-35
Напруга стабілізації, Vz: 3,6 V
Струм стабілізації, Izt: 5mA
Потужність, Pd: 0,4 W
Монтаж: THT
Температурний коефіцієнт: -2.4mV/K
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Стабілітрони
Корпус: DO-35
Напруга стабілізації, Vz: 3,6 V
Струм стабілізації, Izt: 5mA
Потужність, Pd: 0,4 W
Монтаж: THT
Температурний коефіцієнт: -2.4mV/K
у наявності: 2615 шт
- 1910 шт - склад
- 294 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 2 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 130 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 279 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 2.00 грн |
| 16+ | 1.30 грн |
| 100+ | 1.00 грн |
| 1000+ | 0.80 грн |









