Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD90P04P4L04ATMA2
IPD90P04P4L04ATMA2

IPD90P04P4L04ATMA2 Infineon Technologies

Infineon-IPD90P04P4L-04-DataSheet-v01_02-EN.pdf?fileId=db3a30432f69f146012f7829059b2dee
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 40V 90A TO252-3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11570 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 176 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): +5V, -16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 90A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+56.60 грн
5000+53.71 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD90P04P4L04ATMA2 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD90P04P4L04ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 90 A, 4300 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 90A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, Verlustleistung: 125W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS-P2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4300µohm.

Інші пропозиції IPD90P04P4L04ATMA2 за ціною від 59.63 грн до 235.65 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IPD90P04P4L04ATMA2 IPD90P04P4L04ATMA2 INFINEON INFN-S-A0008993774-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD90P04P4L04ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 90 A, 4300 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4300µohm
на замовлення 3237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+90.45 грн
500+69.03 грн
1000+59.63 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90P04P4L04ATMA2 IPD90P04P4L04ATMA2 Infineon Technologies infineonipd90p04p4l04datasheetv0102en.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 28504 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
271+130.83 грн
500+117.75 грн
1000+108.58 грн
10000+93.36 грн
Мінімальне замовлення: 271 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90P04P4L04ATMA2 IPD90P04P4L04ATMA2 Infineon Technologies infineonipd90p04p4l04datasheetv0102en.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+134.67 грн
10+112.48 грн
100+93.84 грн
500+78.09 грн
1000+69.93 грн
2500+67.04 грн
5000+65.13 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90P04P4L04ATMA2 IPD90P04P4L04ATMA2 Infineon Technologies infineonipd90p04p4l04datasheetv0102en.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
106+134.67 грн
126+112.48 грн
151+93.84 грн
500+78.09 грн
1000+69.93 грн
2500+67.04 грн
5000+65.13 грн
Мінімальне замовлення: 106 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90P04P4L04ATMA2 IPD90P04P4L04ATMA2 Infineon Technologies Infineon-IPD90P04P4L-04-DataSheet-v01_02-EN.pdf?fileId=db3a30432f69f146012f7829059b2dee Description: MOSFET P-CH 40V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +5V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 176 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11570 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+188.72 грн
10+117.36 грн
100+80.65 грн
500+61.69 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90P04P4L04ATMA2 IPD90P04P4L04ATMA2 INFINEON INFN-S-A0008993774-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD90P04P4L04ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 90 A, 4300 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4300µohm
на замовлення 3237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+199.00 грн
50+125.81 грн
100+90.45 грн
500+69.03 грн
1000+59.63 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90P04P4L04ATMA2 IPD90P04P4L04ATMA2 Infineon Technologies Infineon_IPD90P04P4L_04_DataSheet_v01_02_EN.pdf MOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 3828 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+223.66 грн
10+142.66 грн
100+85.28 грн
500+71.19 грн
1000+66.04 грн
2500+62.45 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90P04P4L04ATMA2 IPD90P04P4L04ATMA2 Infineon Technologies infineonipd90p04p4l04datasheetv0102en.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
61+235.65 грн
88+161.83 грн
121+117.46 грн
500+89.71 грн
1000+78.98 грн
2500+75.68 грн
Мінімальне замовлення: 61 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90P04P4L04ATMA2 INFN-S-A0008993774-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPD90P04P4L04ATMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD90P04P4L04ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 90 A, 4300 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4300µohm
на замовлення 3237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+90.45 грн
500+69.03 грн
1000+59.63 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90P04P4L04ATMA2 infineonipd90p04p4l04datasheetv0102en.pdf
IPD90P04P4L04ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 28504 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
271+130.83 грн
500+117.75 грн
1000+108.58 грн
10000+93.36 грн
Мінімальне замовлення: 271 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90P04P4L04ATMA2 infineonipd90p04p4l04datasheetv0102en.pdf
IPD90P04P4L04ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
6+134.67 грн
10+112.48 грн
100+93.84 грн
500+78.09 грн
1000+69.93 грн
2500+67.04 грн
5000+65.13 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90P04P4L04ATMA2 infineonipd90p04p4l04datasheetv0102en.pdf
IPD90P04P4L04ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
106+134.67 грн
126+112.48 грн
151+93.84 грн
500+78.09 грн
1000+69.93 грн
2500+67.04 грн
5000+65.13 грн
Мінімальне замовлення: 106 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90P04P4L04ATMA2 Infineon-IPD90P04P4L-04-DataSheet-v01_02-EN.pdf?fileId=db3a30432f69f146012f7829059b2dee
IPD90P04P4L04ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 40V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +5V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 176 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11570 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+188.72 грн
10+117.36 грн
100+80.65 грн
500+61.69 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90P04P4L04ATMA2 INFN-S-A0008993774-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPD90P04P4L04ATMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD90P04P4L04ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 90 A, 4300 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4300µohm
на замовлення 3237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+199.00 грн
50+125.81 грн
100+90.45 грн
500+69.03 грн
1000+59.63 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90P04P4L04ATMA2 Infineon_IPD90P04P4L_04_DataSheet_v01_02_EN.pdf
IPD90P04P4L04ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 3828 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+223.66 грн
10+142.66 грн
100+85.28 грн
500+71.19 грн
1000+66.04 грн
2500+62.45 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90P04P4L04ATMA2 infineonipd90p04p4l04datasheetv0102en.pdf
IPD90P04P4L04ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
61+235.65 грн
88+161.83 грн
121+117.46 грн
500+89.71 грн
1000+78.98 грн
2500+75.68 грн
Мінімальне замовлення: 61 шт
В кошику  од. на суму  грн.