IPD90R1K2C3ATMA2 INFINEON
Виробник: INFINEONDescription: INFINEON - IPD90R1K2C3ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 5.1 A, 0.94 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.94ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1642 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 73.82 грн |
| 500+ | 54.58 грн |
| 1000+ | 47.38 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPD90R1K2C3ATMA2 INFINEON
Description: INFINEON - IPD90R1K2C3ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 5.1 A, 0.94 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 900V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 83W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.94ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IPD90R1K2C3ATMA2 за ціною від 39.00 грн до 171.74 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPD90R1K2C3ATMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs LOW POWER_LEGACY |
на замовлення 2490 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPD90R1K2C3ATMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 900V 5.1A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.8A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 310µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 100 V |
на замовлення 1989 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPD90R1K2C3ATMA2 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPD90R1K2C3ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 5.1 A, 0.94 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 900V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 83W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.94ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1642 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IPD90R1K2C3ATMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
P7 Power MOSFET Transistor |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
 |
IPD90R1K2C3ATMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 900V 5.1A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
IPD90R1K2C3ATMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 900V 5.1A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.8A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 310µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 100 V |
товару немає в наявності |