Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD95R1K2P7ATMA1
IPD95R1K2P7ATMA1

IPD95R1K2P7ATMA1 Infineon Technologies

infineon-ipd95r1k2p7-datasheet-v02_03-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 950V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+40.41 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD95R1K2P7ATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 950V 6A TO252-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.7A, 10V, Power Dissipation (Max): 52W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 140µA, Supplier Device Package: PG-TO252-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 478 pF @ 400 V.

Інші пропозиції IPD95R1K2P7ATMA1 за ціною від 38.38 грн до 168.68 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPD95R1K2P7ATMA1 IPD95R1K2P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPD95R1K2P7_DataSheet_v02_03_EN-3362559.pdf MOSFETs LOW POWER_NEW
на замовлення 1233 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+168.68 грн
10+105.50 грн
100+62.24 грн
500+49.83 грн
1000+45.43 грн
2500+38.46 грн
5000+38.38 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPD95R1K2P7ATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD95R1K2P7-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb01643b928d27571a IPD95R1K2P7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD95R1K2P7ATMA1 IPD95R1K2P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD95R1K2P7-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb01643b928d27571a Description: MOSFET N-CH 950V 6A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 478 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD95R1K2P7ATMA1 IPD95R1K2P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD95R1K2P7-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb01643b928d27571a Description: MOSFET N-CH 950V 6A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 478 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.