Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD95R2K0P7ATMA1
IPD95R2K0P7ATMA1

IPD95R2K0P7ATMA1 Infineon Technologies

infineon-ipd95r2k0p7-datasheet-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 950V 4A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 400 V
на замовлення 112500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+37.60 грн
7500+32.37 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 2500 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD95R2K0P7ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD95R2K0P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 4 A, 2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 950V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 37W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IPD95R2K0P7ATMA1 за ціною від 31.76 грн до 146.27 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPD95R2K0P7ATMA1 IPD95R2K0P7ATMA1 Infineon Technologies infineonipd95r2k0p7datasheetv0203en.pdf Trans MOSFET N-CH 950V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 27500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+41.15 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD95R2K0P7ATMA1 IPD95R2K0P7ATMA1 Infineon Technologies infineonipd95r2k0p7datasheetv0203en.pdf Trans MOSFET N-CH 950V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 27500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+41.68 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD95R2K0P7ATMA1 IPD95R2K0P7ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipd95r2k0p7-datasheet-en.pdf Description: MOSFET N-CH 950V 4A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 400 V
на замовлення 113044 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+136.19 грн
10+83.49 грн
50+62.68 грн
100+52.51 грн
500+41.41 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD95R2K0P7ATMA1 IPD95R2K0P7ATMA1 Infineon Technologies infineonipd95r2k0p7datasheetv0203en.pdf Trans MOSFET N-CH 950V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+142.04 грн
10+91.72 грн
25+90.80 грн
50+86.69 грн
100+61.13 грн
250+32.59 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD95R2K0P7ATMA1 IPD95R2K0P7ATMA1 Infineon Technologies infineonipd95r2k0p7datasheetv0203en.pdf Trans MOSFET N-CH 950V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
103+143.02 грн
159+92.35 грн
160+91.43 грн
162+87.28 грн
212+61.56 грн
382+32.82 грн
Мінімальне замовлення: 103 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD95R2K0P7ATMA1 IPD95R2K0P7ATMA1 Infineon Technologies infineon_ipd95r2k0p7_datasheet_en.pdf MOSFETs LOW POWER_NEW
на замовлення 12487 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
3+146.27 грн
10+68.72 грн
100+52.48 грн
500+41.67 грн
1000+39.26 грн
2500+33.78 грн
5000+31.76 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD95R2K0P7ATMA1 IPD95R2K0P7ATMA1 INFINEON 2643877.pdf Description: INFINEON - IPD95R2K0P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 4 A, 2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 224 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD95R2K0P7ATMA1 IPD95R2K0P7ATMA1 INFINEON 2643877.pdf Description: INFINEON - IPD95R2K0P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 4 A, 2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 224 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD95R2K0P7ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipd95r2k0p7-datasheet-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+92.84 грн
10+80.11 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD95R2K0P7ATMA1 infineonipd95r2k0p7datasheetv0203en.pdf
IPD95R2K0P7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 950V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 27500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+41.15 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD95R2K0P7ATMA1 infineonipd95r2k0p7datasheetv0203en.pdf
IPD95R2K0P7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 950V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 27500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+41.68 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD95R2K0P7ATMA1 infineon-ipd95r2k0p7-datasheet-en.pdf
IPD95R2K0P7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 950V 4A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 400 V
на замовлення 113044 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+136.19 грн
10+83.49 грн
50+62.68 грн
100+52.51 грн
500+41.41 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD95R2K0P7ATMA1 infineonipd95r2k0p7datasheetv0203en.pdf
IPD95R2K0P7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 950V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+142.04 грн
10+91.72 грн
25+90.80 грн
50+86.69 грн
100+61.13 грн
250+32.59 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD95R2K0P7ATMA1 infineonipd95r2k0p7datasheetv0203en.pdf
IPD95R2K0P7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 950V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
103+143.02 грн
159+92.35 грн
160+91.43 грн
162+87.28 грн
212+61.56 грн
382+32.82 грн
Мінімальне замовлення: 103 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD95R2K0P7ATMA1 infineon_ipd95r2k0p7_datasheet_en.pdf
IPD95R2K0P7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs LOW POWER_NEW
на замовлення 12487 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+146.27 грн
10+68.72 грн
100+52.48 грн
500+41.67 грн
1000+39.26 грн
2500+33.78 грн
5000+31.76 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD95R2K0P7ATMA1 2643877.pdf
IPD95R2K0P7ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD95R2K0P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 4 A, 2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 224 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD95R2K0P7ATMA1 2643877.pdf
IPD95R2K0P7ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD95R2K0P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 4 A, 2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 224 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD95R2K0P7ATMA1 infineon-ipd95r2k0p7-datasheet-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+92.84 грн
10+80.11 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.