Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD95R2K0P7ATMA1
IPD95R2K0P7ATMA1

IPD95R2K0P7ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPD95R2K0P7-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb016436fe9ce05009
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 950V 4A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 400 V
на замовлення 105000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+30.87 грн
5000+27.60 грн
7500+26.52 грн
12500+23.75 грн
17500+23.13 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD95R2K0P7ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD95R2K0P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 4 A, 2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 950V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 37W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IPD95R2K0P7ATMA1 за ціною від 31.12 грн до 137.47 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPD95R2K0P7ATMA1 IPD95R2K0P7ATMA1 Infineon Technologies infineonipd95r2k0p7datasheetv0203en.pdf Trans MOSFET N-CH 950V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 27500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+39.55 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD95R2K0P7ATMA1 IPD95R2K0P7ATMA1 Infineon Technologies infineonipd95r2k0p7datasheetv0203en.pdf Trans MOSFET N-CH 950V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 27500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+40.06 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD95R2K0P7ATMA1 IPD95R2K0P7ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD95R2K0P7-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb016436fe9ce05009 Description: MOSFET N-CH 950V 4A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 400 V
на замовлення 107082 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+113.15 грн
10+69.23 грн
100+46.22 грн
500+34.10 грн
1000+31.12 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD95R2K0P7ATMA1 IPD95R2K0P7ATMA1 Infineon Technologies infineonipd95r2k0p7datasheetv0203en.pdf Trans MOSFET N-CH 950V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+136.53 грн
10+88.16 грн
25+87.28 грн
50+83.32 грн
100+58.76 грн
250+31.33 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD95R2K0P7ATMA1 IPD95R2K0P7ATMA1 Infineon Technologies infineonipd95r2k0p7datasheetv0203en.pdf Trans MOSFET N-CH 950V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
103+137.47 грн
159+88.77 грн
160+87.88 грн
162+83.89 грн
212+59.17 грн
382+31.54 грн
Мінімальне замовлення: 103 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD95R2K0P7ATMA1 IPD95R2K0P7ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPD95R2K0P7_DataSheet_v02_03_EN-3362790.pdf MOSFETs N
на замовлення 42067 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD95R2K0P7ATMA1 IPD95R2K0P7ATMA1 INFINEON 2643877.pdf Description: INFINEON - IPD95R2K0P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 4 A, 2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 224 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD95R2K0P7ATMA1 IPD95R2K0P7ATMA1 INFINEON 2643877.pdf Description: INFINEON - IPD95R2K0P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 4 A, 2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 224 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD95R2K0P7ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD95R2K0P7-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb016436fe9ce05009 Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+89.24 грн
10+77.00 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD95R2K0P7ATMA1 infineonipd95r2k0p7datasheetv0203en.pdf
IPD95R2K0P7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 950V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 27500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+39.55 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD95R2K0P7ATMA1 infineonipd95r2k0p7datasheetv0203en.pdf
IPD95R2K0P7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 950V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 27500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+40.06 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD95R2K0P7ATMA1 Infineon-IPD95R2K0P7-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb016436fe9ce05009
IPD95R2K0P7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 950V 4A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 400 V
на замовлення 107082 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+113.15 грн
10+69.23 грн
100+46.22 грн
500+34.10 грн
1000+31.12 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD95R2K0P7ATMA1 infineonipd95r2k0p7datasheetv0203en.pdf
IPD95R2K0P7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 950V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+136.53 грн
10+88.16 грн
25+87.28 грн
50+83.32 грн
100+58.76 грн
250+31.33 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD95R2K0P7ATMA1 infineonipd95r2k0p7datasheetv0203en.pdf
IPD95R2K0P7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 950V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
103+137.47 грн
159+88.77 грн
160+87.88 грн
162+83.89 грн
212+59.17 грн
382+31.54 грн
Мінімальне замовлення: 103 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD95R2K0P7ATMA1 Infineon_IPD95R2K0P7_DataSheet_v02_03_EN-3362790.pdf
IPD95R2K0P7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N
на замовлення 42067 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD95R2K0P7ATMA1 2643877.pdf
IPD95R2K0P7ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD95R2K0P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 4 A, 2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 224 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD95R2K0P7ATMA1 2643877.pdf
IPD95R2K0P7ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD95R2K0P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 4 A, 2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 224 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD95R2K0P7ATMA1 Infineon-IPD95R2K0P7-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb016436fe9ce05009
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+89.24 грн
10+77.00 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.