Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD95R2K0P7ATMA1
IPD95R2K0P7ATMA1

IPD95R2K0P7ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPD95R2K0P7-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb016436fe9ce05009 Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 950V 4A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 400 V
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+29.91 грн
5000+26.75 грн
7500+26.48 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD95R2K0P7ATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 950V 4A TO252-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1.7A, 10V, Power Dissipation (Max): 37W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 80µA, Supplier Device Package: PG-TO252-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 400 V.

Інші пропозиції IPD95R2K0P7ATMA1 за ціною від 31.09 грн до 93.99 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPD95R2K0P7ATMA1 IPD95R2K0P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd95r2k0p7-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 950V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+32.37 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD95R2K0P7ATMA1 IPD95R2K0P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD95R2K0P7-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb016436fe9ce05009 Description: MOSFET N-CH 950V 4A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 400 V
на замовлення 37412 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+87.95 грн
10+59.75 грн
100+46.16 грн
500+34.07 грн
1000+31.09 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPD95R2K0P7ATMA1 IPD95R2K0P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPD95R2K0P7_DataSheet_v02_03_EN-3362790.pdf MOSFETs N
на замовлення 42067 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+93.99 грн
10+75.49 грн
100+51.47 грн
500+43.64 грн
1000+35.58 грн
2500+33.42 грн
5000+31.85 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPD95R2K0P7ATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD95R2K0P7-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb016436fe9ce05009 IPD95R2K0P7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.