Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD95R450P7ATMA1
IPD95R450P7ATMA1

IPD95R450P7ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPD95R450P7-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb01643b1b778a55d4
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 950V 14A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 7.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 360µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1053 pF @ 400 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+57.02 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD95R450P7ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD95R450P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 14 A, 0.45 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 950V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 14A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 104W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IPD95R450P7ATMA1 за ціною від 63.07 грн до 270.95 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPD95R450P7ATMA1 IPD95R450P7ATMA1 Infineon Technologies infineonipd95r450p7datasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 950V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+91.30 грн
5000+86.72 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD95R450P7ATMA1 IPD95R450P7ATMA1 Infineon Technologies infineonipd95r450p7datasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 950V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+91.85 грн
5000+87.24 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD95R450P7ATMA1 IPD95R450P7ATMA1 Infineon Technologies infineonipd95r450p7datasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 950V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
246+143.47 грн
500+129.36 грн
1000+118.78 грн
Мінімальне замовлення: 246 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD95R450P7ATMA1 IPD95R450P7ATMA1 Infineon Technologies infineonipd95r450p7datasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 950V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7157 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
89+158.73 грн
100+151.63 грн
250+145.55 грн
500+135.28 грн
1000+121.18 грн
2500+112.89 грн
5000+109.86 грн
Мінімальне замовлення: 89 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD95R450P7ATMA1 IPD95R450P7ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD95R450P7-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb01643b1b778a55d4 Description: MOSFET N-CH 950V 14A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 7.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 360µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1053 pF @ 400 V
на замовлення 5483 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+190.67 грн
10+118.62 грн
100+81.69 грн
500+63.07 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD95R450P7ATMA1 IPD95R450P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD95R450P7.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 950V; 8.6A; 104W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 950V
Drain current: 8.6A
Power dissipation: 104W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
Gate charge: 35nC
Version: ESD
на замовлення 1291 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+194.18 грн
5+144.75 грн
10+127.82 грн
25+117.67 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD95R450P7ATMA1 IPD95R450P7ATMA1 Infineon Technologies infineonipd95r450p7datasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 950V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
53+270.95 грн
81+175.93 грн
100+173.11 грн
Мінімальне замовлення: 53 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD95R450P7ATMA1 IPD95R450P7ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPD95R450P7_DataSheet_v02_02_EN.pdf MOSFETs LOW POWER_NEW
на замовлення 3323 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD95R450P7ATMA1 IPD95R450P7ATMA1 INFINEON 2643878.pdf Description: INFINEON - IPD95R450P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 14 A, 0.45 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 20098 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD95R450P7ATMA1 IPD95R450P7ATMA1 INFINEON 2643878.pdf Description: INFINEON - IPD95R450P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 14 A, 0.45 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 20098 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD95R450P7ATMA1 infineonipd95r450p7datasheetv0202en.pdf
IPD95R450P7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 950V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+91.30 грн
5000+86.72 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD95R450P7ATMA1 infineonipd95r450p7datasheetv0202en.pdf
IPD95R450P7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 950V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+91.85 грн
5000+87.24 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD95R450P7ATMA1 infineonipd95r450p7datasheetv0202en.pdf
IPD95R450P7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 950V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
246+143.47 грн
500+129.36 грн
1000+118.78 грн
Мінімальне замовлення: 246 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD95R450P7ATMA1 infineonipd95r450p7datasheetv0202en.pdf
IPD95R450P7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 950V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7157 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
89+158.73 грн
100+151.63 грн
250+145.55 грн
500+135.28 грн
1000+121.18 грн
2500+112.89 грн
5000+109.86 грн
Мінімальне замовлення: 89 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD95R450P7ATMA1 Infineon-IPD95R450P7-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb01643b1b778a55d4
IPD95R450P7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 950V 14A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 7.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 360µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1053 pF @ 400 V
на замовлення 5483 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+190.67 грн
10+118.62 грн
100+81.69 грн
500+63.07 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD95R450P7ATMA1 IPD95R450P7.pdf
IPD95R450P7ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 950V; 8.6A; 104W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 950V
Drain current: 8.6A
Power dissipation: 104W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
Gate charge: 35nC
Version: ESD
на замовлення 1291 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+194.18 грн
5+144.75 грн
10+127.82 грн
25+117.67 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD95R450P7ATMA1 infineonipd95r450p7datasheetv0202en.pdf
IPD95R450P7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 950V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
53+270.95 грн
81+175.93 грн
100+173.11 грн
Мінімальне замовлення: 53 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD95R450P7ATMA1 Infineon_IPD95R450P7_DataSheet_v02_02_EN.pdf
IPD95R450P7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs LOW POWER_NEW
на замовлення 3323 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD95R450P7ATMA1 2643878.pdf
IPD95R450P7ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD95R450P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 14 A, 0.45 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 20098 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD95R450P7ATMA1 2643878.pdf
IPD95R450P7ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD95R450P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 14 A, 0.45 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 20098 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.