IPD95R450P7ATMA1

IPD95R450P7ATMA1 Infineon Technologies


Infineon-IPD95R450P7-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb01643b1b778a55d4 Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 950V 14A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 7.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 360µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1053 pF @ 400 V
на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+56.91 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD95R450P7ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD95R450P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 14 A, 0.45 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 950V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 14A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 104W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IPD95R450P7ATMA1 за ціною від 58.90 грн до 249.50 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPD95R450P7ATMA1 IPD95R450P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineonipd95r450p7datasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 950V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+84.08 грн
5000+79.86 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD95R450P7ATMA1 IPD95R450P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineonipd95r450p7datasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 950V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+90.62 грн
5000+86.07 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD95R450P7ATMA1 IPD95R450P7ATMA1 Виробник : INFINEON 2643878.pdf Description: INFINEON - IPD95R450P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 14 A, 0.45 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 20098 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+94.18 грн
500+67.46 грн
1000+61.00 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPD95R450P7ATMA1 IPD95R450P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineonipd95r450p7datasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 950V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
246+132.11 грн
500+119.12 грн
1000+109.37 грн
Мінімальне замовлення: 246
В кошику  од. на суму  грн.
IPD95R450P7ATMA1 IPD95R450P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineonipd95r450p7datasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 950V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7157 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
89+146.17 грн
100+139.62 грн
250+134.03 грн
500+124.57 грн
1000+111.59 грн
2500+103.95 грн
5000+101.16 грн
Мінімальне замовлення: 89
В кошику  од. на суму  грн.
IPD95R450P7ATMA1 IPD95R450P7ATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPD95R450P7.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 950V; 8.6A; 104W; DPAK; ESD
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 950V
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 8.6A
Gate charge: 35nC
On-state resistance: 0.45Ω
Power dissipation: 104W
Technology: CoolMOS™ P7
на замовлення 1320 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+150.15 грн
5+124.22 грн
10+118.30 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPD95R450P7ATMA1 IPD95R450P7ATMA1 Виробник : INFINEON 2643878.pdf Description: INFINEON - IPD95R450P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 14 A, 0.45 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 20098 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+184.28 грн
10+133.50 грн
100+94.18 грн
500+67.46 грн
1000+61.00 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPD95R450P7ATMA1 IPD95R450P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD95R450P7-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb01643b1b778a55d4 Description: MOSFET N-CH 950V 14A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 7.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 360µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1053 pF @ 400 V
на замовлення 5483 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+190.33 грн
10+118.41 грн
100+81.55 грн
500+62.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPD95R450P7ATMA1 IPD95R450P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPD95R450P7_DataSheet_v02_02_EN.pdf MOSFETs LOW POWER_NEW
на замовлення 3323 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+200.66 грн
10+128.36 грн
100+77.22 грн
500+63.39 грн
1000+58.90 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPD95R450P7ATMA1 IPD95R450P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineonipd95r450p7datasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 950V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
53+249.50 грн
81+162.00 грн
100+159.40 грн
Мінімальне замовлення: 53
В кошику  од. на суму  грн.
IPD95R450P7ATMA1 IPD95R450P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineonipd95r450p7datasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 950V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD95R450P7ATMA1 IPD95R450P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineonipd95r450p7datasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 950V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.