Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD95R450P7ATMA1
IPD95R450P7ATMA1

IPD95R450P7ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPD95R450P7-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb01643b1b778a55d4
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 950V 14A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 7.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 360µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1053 pF @ 400 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+57.14 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD95R450P7ATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 950V 14A TO252-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 7.2A, 10V, Power Dissipation (Max): 104W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 360µA, Supplier Device Package: PG-TO252-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1053 pF @ 400 V.

Інші пропозиції IPD95R450P7ATMA1 за ціною від 59.13 грн до 201.46 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IPD95R450P7ATMA1 IPD95R450P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD95R450P7.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 950V; 8.6A; 104W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 950V
Drain current: 8.6A
Power dissipation: 104W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
Version: ESD
Gate charge: 35nC
на замовлення 1303 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+184.56 грн
5+137.44 грн
10+121.32 грн
25+117.93 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD95R450P7ATMA1 IPD95R450P7ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD95R450P7-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb01643b1b778a55d4 Description: MOSFET N-CH 950V 14A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 7.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 360µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1053 pF @ 400 V
на замовлення 5483 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+191.10 грн
10+118.89 грн
100+81.88 грн
500+63.21 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD95R450P7ATMA1 IPD95R450P7ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPD95R450P7_DataSheet_v02_02_EN.pdf MOSFETs LOW POWER_NEW
на замовлення 3323 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+201.46 грн
10+128.88 грн
100+77.53 грн
500+63.65 грн
1000+59.13 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD95R450P7ATMA1 IPD95R450P7.pdf
IPD95R450P7ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 950V; 8.6A; 104W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 950V
Drain current: 8.6A
Power dissipation: 104W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
Version: ESD
Gate charge: 35nC
на замовлення 1303 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+184.56 грн
5+137.44 грн
10+121.32 грн
25+117.93 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD95R450P7ATMA1 Infineon-IPD95R450P7-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb01643b1b778a55d4
IPD95R450P7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 950V 14A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 7.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 360µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1053 pF @ 400 V
на замовлення 5483 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+191.10 грн
10+118.89 грн
100+81.88 грн
500+63.21 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD95R450P7ATMA1 Infineon_IPD95R450P7_DataSheet_v02_02_EN.pdf
IPD95R450P7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs LOW POWER_NEW
на замовлення 3323 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+201.46 грн
10+128.88 грн
100+77.53 грн
500+63.65 грн
1000+59.13 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.