Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD95R450P7ATMA1
IPD95R450P7ATMA1

IPD95R450P7ATMA1 Infineon Technologies

infineon-ipd95r450p7-datasheet-v02_02-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 950V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+75.88 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD95R450P7ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD95R450P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 14 A, 0.38 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 950V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 14A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 104W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.38ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Інші пропозиції IPD95R450P7ATMA1 за ціною від 62.90 грн до 238.14 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPD95R450P7ATMA1 IPD95R450P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineonipd95r450p7datasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 950V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+78.94 грн
5000+74.98 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD95R450P7ATMA1 IPD95R450P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineonipd95r450p7datasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 950V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+85.08 грн
5000+80.81 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD95R450P7ATMA1 IPD95R450P7ATMA1 Виробник : INFINEON 2643878.pdf Description: INFINEON - IPD95R450P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 14 A, 0.38 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.38ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 21289 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+109.78 грн
500+80.77 грн
1000+68.48 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPD95R450P7ATMA1 IPD95R450P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineonipd95r450p7datasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 950V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
246+124.04 грн
500+111.84 грн
1000+102.69 грн
Мінімальне замовлення: 246
В кошику  од. на суму  грн.
IPD95R450P7ATMA1 IPD95R450P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineonipd95r450p7datasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 950V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7157 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
89+137.24 грн
100+131.10 грн
250+125.84 грн
500+116.96 грн
1000+104.77 грн
2500+97.60 грн
5000+94.98 грн
Мінімальне замовлення: 89
В кошику  од. на суму  грн.
IPD95R450P7ATMA1 IPD95R450P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPD95R450P7_DataSheet_v02_02_EN-3362335.pdf MOSFETs LOW POWER_NEW
на замовлення 3601 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+182.68 грн
10+135.92 грн
100+85.82 грн
500+71.89 грн
2500+69.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPD95R450P7ATMA1 IPD95R450P7ATMA1 Виробник : INFINEON 2643878.pdf Description: INFINEON - IPD95R450P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 14 A, 0.45 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 20098 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+190.01 грн
10+137.65 грн
100+97.11 грн
500+69.55 грн
1000+62.90 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPD95R450P7ATMA1 IPD95R450P7ATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8AF99C3096888A143&compId=IPD95R450P7.pdf?ci_sign=0082607c363ab7b28ae784d1f635cccdd4fd5598 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 950V; 8.6A; 104W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 950V
Drain current: 8.6A
Power dissipation: 104W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel
Version: ESD
на замовлення 1501 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+198.45 грн
5+148.21 грн
8+119.19 грн
22+112.92 грн
25+109.00 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPD95R450P7ATMA1 IPD95R450P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD95R450P7-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb01643b1b778a55d4 Description: MOSFET N-CH 950V 14A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 7.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 360µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1053 pF @ 400 V
на замовлення 1824 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+232.08 грн
10+146.72 грн
100+101.60 грн
500+77.25 грн
1000+71.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPD95R450P7ATMA1 IPD95R450P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineonipd95r450p7datasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 950V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
53+234.26 грн
81+152.11 грн
100+149.67 грн
Мінімальне замовлення: 53
В кошику  од. на суму  грн.
IPD95R450P7ATMA1 IPD95R450P7ATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8AF99C3096888A143&compId=IPD95R450P7.pdf?ci_sign=0082607c363ab7b28ae784d1f635cccdd4fd5598 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 950V; 8.6A; 104W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 950V
Drain current: 8.6A
Power dissipation: 104W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1501 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+238.14 грн
5+184.69 грн
8+143.03 грн
22+135.50 грн
25+130.80 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPD95R450P7ATMA1 IPD95R450P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineonipd95r450p7datasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 950V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD95R450P7ATMA1 IPD95R450P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineonipd95r450p7datasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 950V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD95R450P7ATMA1 IPD95R450P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD95R450P7-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb01643b1b778a55d4 Description: MOSFET N-CH 950V 14A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 7.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 360µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1053 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.