IPD95R450PFD7ATMA1

IPD95R450PFD7ATMA1 Infineon Technologies


Infineon_IPD95R450PFD7_DataSheet_v02_01_EN-3011903.pdf Виробник: Infineon Technologies
MOSFET LOW POWER_NEW
на замовлення 1329 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+209.27 грн
10+171.76 грн
100+118.61 грн
250+109.82 грн
500+99.57 грн
1000+90.05 грн
2500+78.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPD95R450PFD7ATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 950V 13.3A TO252-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.3A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 7.2A, 10V, Power Dissipation (Max): 104W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 360µA, Supplier Device Package: PG-TO252-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 400 V.

Інші пропозиції IPD95R450PFD7ATMA1 за ціною від 73.27 грн до 238.38 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPD95R450PFD7ATMA1 IPD95R450PFD7ATMA1 Виробник : INFINEON 3795136.pdf Description: INFINEON - IPD95R450PFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 13.3 A, 0.35 ohm, TO-252 (DPAK), Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
Dauer-Drainstrom Id: 13.3A
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1607 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+235.72 грн
10+163.44 грн
100+116.63 грн
500+88.47 грн
1000+76.03 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPD95R450PFD7ATMA1 IPD95R450PFD7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD95R450PFD7-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c81ae03fc0181f712e8992e5b Description: MOSFET N-CH 950V 13.3A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 7.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 360µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 400 V
на замовлення 2456 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+238.38 грн
10+149.55 грн
100+103.88 грн
500+79.16 грн
1000+73.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPD95R450PFD7ATMA1 IPD95R450PFD7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd95r450pfd7-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 950V 13.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD95R450PFD7ATMA1 IPD95R450PFD7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd95r450pfd7-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 950V 13.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD95R450PFD7ATMA1 IPD95R450PFD7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipd95r450pfd7-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 950V 13.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD95R450PFD7ATMA1 IPD95R450PFD7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPD95R450PFD7-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c81ae03fc0181f712e8992e5b Description: MOSFET N-CH 950V 13.3A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 7.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 360µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.