IPD95R750P7ATMA1 Infineon Technologies
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 56.96 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPD95R750P7ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPD95R750P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 9 A, 0.64 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 950V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 73W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.64ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Інші пропозиції IPD95R750P7ATMA1 за ціною від 41.65 грн до 187.44 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IPD95R750P7ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 950V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
IPD95R750P7ATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPD95R750P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 9 A, 0.64 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 950V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 73W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.64ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 4023 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
IPD95R750P7ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 950V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 11267 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
IPD95R750P7ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET LOW POWER_NEW |
на замовлення 9042 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
IPD95R750P7ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 950V 9A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 73W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 220µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 712 pF @ 400 V |
на замовлення 2183 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
IPD95R750P7ATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPD95R750P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 9 A, 0.64 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 950V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 73W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.64ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 4023 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
IPD95R750P7ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 950V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||||
|
|
IPD95R750P7ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 950V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||||
| IPD95R750P7ATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
IPD95R750P7 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||||||
 |
IPD95R750P7ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 950V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||||
|
|
IPD95R750P7ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 950V 9A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 73W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 220µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 712 pF @ 400 V |
товару немає в наявності |