IPD95R750P7ATMA1 Infineon Technologies
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 339+ | 104.57 грн |
| 500+ | 94.12 грн |
| 1000+ | 86.80 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPD95R750P7ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPD95R750P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 9 A, 0.64 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 950V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 73W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.64ohm.
Інші пропозиції IPD95R750P7ATMA1 за ціною від 60.69 грн до 207.96 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IPD95R750P7ATMA1 | Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 950V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 1189 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPD95R750P7ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 950V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 11127 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPD95R750P7ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 950V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 11127 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPD95R750P7ATMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs LOW POWER_NEW |
на замовлення 175 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
 |
IPD95R750P7ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPD95R750P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 9 A, 0.64 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 950V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 73W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.64ohm |
на замовлення 3168 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
IPD95R750P7ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPD95R750P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 9 A, 0.64 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 950V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 73W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.64ohm |
на замовлення 3168 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| IPD95R750P7ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 950V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 950V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1189 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 339+ | 104.57 грн |
| 500+ | 94.12 грн |
| 1000+ | 86.80 грн |
| IPD95R750P7ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 950V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 950V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 11127 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 207.96 грн |
| 10+ | 142.31 грн |
| 100+ | 102.45 грн |
| 500+ | 85.30 грн |
| 1000+ | 70.60 грн |
| 2500+ | 61.38 грн |
| 5000+ | 60.69 грн |
| IPD95R750P7ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 950V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 950V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 11127 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 69+ | 207.96 грн |
| 100+ | 142.31 грн |
| 139+ | 102.45 грн |
| 500+ | 85.30 грн |
| 1000+ | 70.60 грн |
| 2500+ | 61.38 грн |
| 5000+ | 60.69 грн |
| IPD95R750P7ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs LOW POWER_NEW
MOSFETs LOW POWER_NEW
на замовлення 175 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IPD95R750P7ATMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD95R750P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 9 A, 0.64 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 73W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.64ohm
Description: INFINEON - IPD95R750P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 9 A, 0.64 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 73W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.64ohm
на замовлення 3168 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IPD95R750P7ATMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD95R750P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 9 A, 0.64 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 73W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.64ohm
Description: INFINEON - IPD95R750P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 9 A, 0.64 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 73W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.64ohm
на замовлення 3168 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)