IPDD60R037CM8XTMA1

IPDD60R037CM8XTMA1 Infineon Technologies


Infineon-IPDD60R037CM8-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018d8d1df1830479 Виробник: Infineon Technologies
Description: IPDD60R037CM8XTMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 416W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 680µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3458 pF @ 400 V
на замовлення 184 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+442.72 грн
10+343.86 грн
100+278.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPDD60R037CM8XTMA1 Infineon Technologies

Description: IPDD60R037CM8XTMA1, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 10-PowerSOP Module, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 27A, 10V, Power Dissipation (Max): 416W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 680µA, Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3458 pF @ 400 V.

Інші пропозиції IPDD60R037CM8XTMA1 за ціною від 237.29 грн до 539.29 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPDD60R037CM8XTMA1 IPDD60R037CM8XTMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPDD60R037CM8_DataSheet_v02_01_EN-3445908.pdf MOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 1239 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+539.29 грн
10+407.24 грн
25+319.29 грн
100+282.28 грн
250+264.14 грн
500+251.08 грн
1000+237.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPDD60R037CM8XTMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipdd60r037cm8-datasheet-v02_01-en.pdf SP005578052
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPDD60R037CM8XTMA1 IPDD60R037CM8XTMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPDD60R037CM8-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018d8d1df1830479 Description: IPDD60R037CM8XTMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 416W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 680µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3458 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.