Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPDD60R050G7XTMA1
IPDD60R050G7XTMA1

IPDD60R050G7XTMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPDD60R050G7-DataSheet-v02_02-EN.pdf Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 1692 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+487.83 грн
10+423.93 грн
100+327.51 грн
1000+299.33 грн
1700+278.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPDD60R050G7XTMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPDD60R050G7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 47 A, 0.043 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 47A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 278W, Bauform - Transistor: HDSOP, Anzahl der Pins: 10Pin(s), Produktpalette: CoolMOS C7 Gold, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.043ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Інші пропозиції IPDD60R050G7XTMA1 за ціною від 299.53 грн до 705.74 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPDD60R050G7XTMA1 IPDD60R050G7XTMA1 Виробник : INFINEON 2612479.pdf Description: INFINEON - IPDD60R050G7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 47 A, 0.043 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7 Gold
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.043ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+499.83 грн
50+418.11 грн
100+305.39 грн
250+299.53 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IPDD60R050G7XTMA1 IPDD60R050G7XTMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPDD60R050G7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626102d35a0161707eb2f97810 Description: MOSFET N-CH 600V 47A HDSOP-10
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 15.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 800µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2670 pF @ 400 V
на замовлення 3215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+640.17 грн
10+472.14 грн
100+360.42 грн
500+311.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPDD60R050G7XTMA1 IPDD60R050G7XTMA1 Виробник : INFINEON 2612479.pdf Description: INFINEON - IPDD60R050G7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 47 A, 0.043 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7 Gold
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.043ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1070 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+705.74 грн
5+608.34 грн
10+510.94 грн
50+426.84 грн
100+313.45 грн
250+306.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPDD60R050G7XTMA1 IPDD60R050G7XTMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipdd60r050g7-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 47A 10-Pin HDSOP EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPDD60R050G7XTMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPDD60R050G7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626102d35a0161707eb2f97810 IPDD60R050G7XTMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPDD60R050G7XTMA1 IPDD60R050G7XTMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPDD60R050G7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626102d35a0161707eb2f97810 Description: MOSFET N-CH 600V 47A HDSOP-10
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 15.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 800µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2670 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.