IPDD60R055CFD7XTMA1

IPDD60R055CFD7XTMA1 Infineon Technologies


Infineon-IPDD60R055CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4627506bb3201751c133bde4271 Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 52A HDSOP-10
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 15.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 329W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 760µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2724 pF @ 400 V
на замовлення 1335 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+510.91 грн
10+348.76 грн
100+257.76 грн
500+206.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPDD60R055CFD7XTMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 600V 52A HDSOP-10, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 10-PowerSOP Module, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 15.1A, 10V, Power Dissipation (Max): 329W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 760µA, Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1, Part Status: Active, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2724 pF @ 400 V.

Інші пропозиції IPDD60R055CFD7XTMA1 за ціною від 218.50 грн до 538.15 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPDD60R055CFD7XTMA1 IPDD60R055CFD7XTMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPDD60R055CFD7_DataSheet_v02_00_EN-2399694.pdf MOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+538.15 грн
10+391.71 грн
25+306.04 грн
100+251.60 грн
500+219.97 грн
1700+219.23 грн
3400+218.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPDD60R055CFD7XTMA1 IPDD60R055CFD7XTMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPDD60R055CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4627506bb3201751c133bde4271 Description: MOSFET N-CH 600V 52A HDSOP-10
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 15.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 329W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 760µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2724 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.