
IPDD60R055CFD7XTMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 600V 52A HDSOP-10
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 15.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 329W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 760µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2724 pF @ 400 V
на замовлення 1335 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 510.91 грн |
10+ | 348.76 грн |
100+ | 257.76 грн |
500+ | 206.89 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPDD60R055CFD7XTMA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 52A HDSOP-10, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 10-PowerSOP Module, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 15.1A, 10V, Power Dissipation (Max): 329W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 760µA, Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1, Part Status: Active, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2724 pF @ 400 V.
Інші пропозиції IPDD60R055CFD7XTMA1 за ціною від 218.50 грн до 538.15 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IPDD60R055CFD7XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IPDD60R055CFD7XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 10-PowerSOP Module Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 15.1A, 10V Power Dissipation (Max): 329W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 760µA Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1 Part Status: Active Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2724 pF @ 400 V |
товару немає в наявності |