IPDD60R075CFD7XTMA1 INFINEON
Виробник: INFINEONDescription: INFINEON - IPDD60R075CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 40 A, 0.06 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 266W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 424.82 грн |
| 10+ | 321.91 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPDD60R075CFD7XTMA1 INFINEON
Description: INFINEON - IPDD60R075CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 40 A, 0.06 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 266W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 266W, Bauform - Transistor: HDSOP, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 10Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CFD7, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.06ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Інші пропозиції IPDD60R075CFD7XTMA1 за ціною від 159.24 грн до 741.49 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPDD60R075CFD7XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 600V 40A HDSOP-10 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 10-PowerSOP Module Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 11.4A, 10V Power Dissipation (Max): 266W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 570µA Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1 Part Status: Active Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2102 pF @ 400 V |
на замовлення 1688 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IPDD60R075CFD7XTMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPDD60R075CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 40 A, 0.06 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 266W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 266W Bauform - Transistor: HDSOP Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 10Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CFD7 productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.06ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 32 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||
| IPDD60R075CFD7XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET HIGH POWER_NEW |
на замовлення 1458 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||
 |
IPDD60R075CFD7XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 40A 10-Pin HDSOP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||
|
|
IPDD60R075CFD7XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 600V 40A HDSOP-10 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 10-PowerSOP Module Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 11.4A, 10V Power Dissipation (Max): 266W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 570µA Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1 Part Status: Active Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2102 pF @ 400 V |
товару немає в наявності |