IPDD60R080G7XTMA1 INFINEON
Виробник: INFINEONDescription: INFINEON - IPDD60R080G7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 29 A, 0.069 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 174W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7 Gold
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.069ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1689 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 176.19 грн |
| 500+ | 159.78 грн |
| 1000+ | 143.25 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPDD60R080G7XTMA1 INFINEON
Description: INFINEON - IPDD60R080G7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 29 A, 0.069 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 29A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 174W, Bauform - Transistor: HDSOP, Anzahl der Pins: 10Pin(s), Produktpalette: CoolMOS C7 Gold, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.069ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IPDD60R080G7XTMA1 за ціною від 143.25 грн до 423.83 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPDD60R080G7XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 600V 29A HDSOP-10 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 10-PowerSOP Module Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 9.7A, 10V Power Dissipation (Max): 174W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 490µA Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 400 V |
на замовлення 1700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IPDD60R080G7XTMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPDD60R080G7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 29 A, 0.069 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 29A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 174W Bauform - Transistor: HDSOP Anzahl der Pins: 10Pin(s) Produktpalette: CoolMOS C7 Gold productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.069ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1689 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IPDD60R080G7XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 600V 29A HDSOP-10 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 10-PowerSOP Module Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 9.7A, 10V Power Dissipation (Max): 174W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 490µA Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 400 V |
на замовлення 2376 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IPDD60R080G7XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs HIGH POWER_NEW |
на замовлення 1918 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IPDD60R080G7XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 29A 10-Pin HDSOP EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| IPDD60R080G7XTMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ G7; unipolar; 600V; 29A; Idm: 83A Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ G7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 29A Pulsed drain current: 83A Power dissipation: 174W Case: PG-HDSOP-10-1 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 80mΩ Mounting: SMD Gate charge: 42nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
| IPDD60R080G7XTMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ G7; unipolar; 600V; 29A; Idm: 83A Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ G7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 29A Pulsed drain current: 83A Power dissipation: 174W Case: PG-HDSOP-10-1 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 80mΩ Mounting: SMD Gate charge: 42nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |