Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPDD60R102G7XTMA1
IPDD60R102G7XTMA1

IPDD60R102G7XTMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPDD60R102G7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626102d35a01617087ee7379ed
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 23A HDSOP-10
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1320 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 390µA
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 102mOhm @ 7.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 10-PowerSOP Module
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1615 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+410.06 грн
10+264.15 грн
100+189.79 грн
500+148.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPDD60R102G7XTMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 600V 23A HDSOP-10, Package / Case: 10-PowerSOP Module, Packaging: Tape & Reel (TR), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1320 pF @ 400 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 390µA, Power Dissipation (Max): 139W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 102mOhm @ 7.8A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount.

Інші пропозиції IPDD60R102G7XTMA1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPDD60R102G7XTMA1 IPDD60R102G7XTMA1 Infineon Technologies Infineon-IPDD60R102G7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626102d35a01617087ee7379ed Description: MOSFET N-CH 600V 23A HDSOP-10
Package / Case: 10-PowerSOP Module
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1320 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 390µA
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 102mOhm @ 7.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1700 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPDD60R102G7XTMA1 IPDD60R102G7XTMA1 Infineon Technologies Infineon_IPDD60R102G7_DataSheet_v02_01_EN.pdf MOSFETs HIGH POWER_NEW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1700 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPDD60R102G7XTMA1 Infineon-IPDD60R102G7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626102d35a01617087ee7379ed
IPDD60R102G7XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 23A HDSOP-10
Package / Case: 10-PowerSOP Module
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1320 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 390µA
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 102mOhm @ 7.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1700 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPDD60R102G7XTMA1 Infineon_IPDD60R102G7_DataSheet_v02_01_EN.pdf
IPDD60R102G7XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs HIGH POWER_NEW
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1700 шт
В кошику  од. на суму  грн.