на замовлення 1700 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 166.96 грн |
| 10+ | 150.23 грн |
| 100+ | 124.03 грн |
| 500+ | 121.10 грн |
| 1700+ | 115.96 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPDD60R125G7XTMA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 20A HDSOP-10, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 10-PowerSOP Module, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 6.4A, 10V, Power Dissipation (Max): 120W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 320µA, Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 400 V.
Інші пропозиції IPDD60R125G7XTMA1 за ціною від 130.79 грн до 404.07 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPDD60R125G7XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N-CH 600V 20A HDSOP-10Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 10-PowerSOP Module Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 6.4A, 10V Power Dissipation (Max): 120W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 320µA Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 400 V |
на замовлення 1085 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
IPDD60R125G7XTMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ G7; unipolar; 600V; 20A; Idm: 54A Drain-source voltage: 600V Drain current: 20A On-state resistance: 0.125Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 120W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 27nC Technology: CoolMOS™ G7 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 54A Mounting: SMD Case: PG-HDSOP-10-1 |
на замовлення 47 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
IPDD60R125G7XTMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ G7; unipolar; 600V; 20A; Idm: 54A Drain-source voltage: 600V Drain current: 20A On-state resistance: 0.125Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 120W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 27nC Technology: CoolMOS™ G7 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 54A Mounting: SMD Case: PG-HDSOP-10-1 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 47 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||
 |
IPDD60R125G7XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 10-Pin HDSOP EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||
|
|
IPDD60R125G7XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 600V 20A HDSOP-10 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 10-PowerSOP Module Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 6.4A, 10V Power Dissipation (Max): 120W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 320µA Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 400 V |
товару немає в наявності |