IPDD60R125G7XTMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 20A HDSOP-10
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 320µA
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 6.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 10-PowerSOP Module
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 172.80 грн |
| 10+ | 141.18 грн |
| 100+ | 127.66 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPDD60R125G7XTMA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 20A HDSOP-10, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 320µA, Power Dissipation (Max): 120W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 6.4A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 10-PowerSOP Module, Packaging: Tape & Reel (TR), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 400 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1.
Інші пропозиції IPDD60R125G7XTMA1 за ціною від 238.79 грн до 303.59 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPDD60R125G7XTMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ G7; unipolar; 600V; 20A; Idm: 54A Mounting: SMD Technology: CoolMOS™ G7 Drain current: 20A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 600V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape Case: PG-HDSOP-10-1 On-state resistance: 0.125Ω Pulsed drain current: 54A Power dissipation: 120W Gate charge: 27nC Polarisation: unipolar |
на замовлення 42 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||
 |
IPDD60R125G7XTMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs HIGH POWER_NEW |
на замовлення 1700 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IPDD60R125G7XTMA1 |
|
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ G7; unipolar; 600V; 20A; Idm: 54A
Mounting: SMD
Technology: CoolMOS™ G7
Drain current: 20A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: PG-HDSOP-10-1
On-state resistance: 0.125Ω
Pulsed drain current: 54A
Power dissipation: 120W
Gate charge: 27nC
Polarisation: unipolar
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ G7; unipolar; 600V; 20A; Idm: 54A
Mounting: SMD
Technology: CoolMOS™ G7
Drain current: 20A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: PG-HDSOP-10-1
On-state resistance: 0.125Ω
Pulsed drain current: 54A
Power dissipation: 120W
Gate charge: 27nC
Polarisation: unipolar
на замовлення 42 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 303.59 грн |
| 10+ | 238.79 грн |
| IPDD60R125G7XTMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs HIGH POWER_NEW
MOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)