Продукція > INFINEON > IPDD60R190G7XTMA1
IPDD60R190G7XTMA1

IPDD60R190G7XTMA1 INFINEON


2612484.pdf Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPDD60R190G7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.164 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 76W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7 Gold
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.164ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 8 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+155.80 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPDD60R190G7XTMA1 INFINEON

Description: INFINEON - IPDD60R190G7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.164 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 13A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 76W, Bauform - Transistor: HDSOP, Anzahl der Pins: 10Pin(s), Produktpalette: CoolMOS C7 Gold, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.164ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Інші пропозиції IPDD60R190G7XTMA1 за ціною від 67.75 грн до 249.76 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPDD60R190G7XTMA1 IPDD60R190G7XTMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPDD60R190G7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626102d35a01617087dc0f79ea Description: MOSFET N-CH 600V 13A HDSOP-10
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 4.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 76W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 210µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 718 pF @ 400 V
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+238.21 грн
10+156.90 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPDD60R190G7XTMA1 IPDD60R190G7XTMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPDD60R190G7-DataSheet-v02_01-EN.pdf MOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 1483 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+249.76 грн
10+163.24 грн
100+104.35 грн
500+89.77 грн
1000+87.47 грн
1700+67.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPDD60R190G7XTMA1 IPDD60R190G7XTMA1 Виробник : INFINEON 2612484.pdf Description: INFINEON - IPDD60R190G7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.164 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 76W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7 Gold
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.164ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPDD60R190G7XTMA1 IPDD60R190G7XTMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipdd60r190g7-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 13A 10-Pin HDSOP EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPDD60R190G7XTMA1 IPDD60R190G7XTMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPDD60R190G7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626102d35a01617087dc0f79ea Description: MOSFET N-CH 600V 13A HDSOP-10
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 4.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 76W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 210µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 718 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.