IPDQ60R007CM8XTMA1 INFINEON
Виробник: INFINEONDescription: INFINEON - IPDQ60R007CM8XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 288 A, 0.007 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 288A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.249kW
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CM8 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 1558.14 грн |
| 50+ | 1446.07 грн |
| 100+ | 1168.60 грн |
| 250+ | 1090.79 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPDQ60R007CM8XTMA1 INFINEON
Description: INFINEON - IPDQ60R007CM8XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 288 A, 0.007 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 288A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.249kW, Bauform - Transistor: HDSOP, Anzahl der Pins: 22Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CM8 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IPDQ60R007CM8XTMA1 за ціною від 1051.29 грн до 1752.90 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPDQ60R007CM8XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
SiC MOSFETs HIGH POWER_NEW |
на замовлення 402 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPDQ60R007CM8XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IPDQ60R007CM8XTMA1 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 22-PowerBSOP Module Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 288A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 1.249kW (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 3.24mA Supplier Device Package: PG-HDSOP-22 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 370 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16385 pF @ 400 V |
на замовлення 403 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPDQ60R007CM8XTMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPDQ60R007CM8XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 288 A, 0.007 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 288A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.249kW Bauform - Transistor: HDSOP Anzahl der Pins: 22Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CM8 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPDQ60R007CM8XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 288A 22-Pin HDSOP EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
IPDQ60R007CM8XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 288A 22-Pin HDSOP EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
IPDQ60R007CM8XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IPDQ60R007CM8XTMA1 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 22-PowerBSOP Module Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 288A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 1.249kW (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 3.24mA Supplier Device Package: PG-HDSOP-22 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 370 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16385 pF @ 400 V |
товару немає в наявності |