Продукція > INFINEON > IPDQ60R010S7XTMA1
IPDQ60R010S7XTMA1

IPDQ60R010S7XTMA1 INFINEON

DS_IPDQ60R010S7_20240524.pdf Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPDQ60R010S7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 50 A, 0.009 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 694W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 694W
Bauform - Transistor: HDSOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7A
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.009ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 697 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+1316.33 грн
50+1149.50 грн
100+1003.07 грн
250+964.17 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPDQ60R010S7XTMA1 INFINEON

Description: INFINEON - IPDQ60R010S7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 50 A, 0.009 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 694W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 694W, Bauform - Transistor: HDSOP, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 22Pin(s), Produktpalette: CoolMOS SJ S7A, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.009ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 12V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IPDQ60R010S7XTMA1 за ціною від 964.17 грн до 1658.23 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPDQ60R010S7XTMA1 IPDQ60R010S7XTMA1 Виробник : INFINEON DS_IPDQ60R010S7_20240524.pdf Description: INFINEON - IPDQ60R010S7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 50 A, 0.009 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 694W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7A
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 697 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1602.70 грн
5+1459.93 грн
10+1316.33 грн
50+1149.50 грн
100+1003.07 грн
250+964.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ60R010S7XTMA1 IPDQ60R010S7XTMA1 Виробник : Infineon Technologies DS_IPDQ60R010S7_20240524.pdf Description: HIGH POWER_NEW PG-HDSOP-22
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 50A, 12V
Power Dissipation (Max): 694W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 3.08mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 318 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11987 pF @ 300 V
на замовлення 273 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1624.25 грн
10+1251.04 грн
25+1172.83 грн
100+1019.96 грн
250+981.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ60R010S7XTMA1 IPDQ60R010S7XTMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPDQ60R010S7_DataSheet_v02_03_EN-3421655.pdf MOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 670 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1658.23 грн
10+1342.66 грн
25+1125.59 грн
50+1097.64 грн
100+1072.62 грн
250+1022.60 грн
500+967.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ60R010S7XTMA1 IPDQ60R010S7XTMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipdq60r010s7-datasheet-v02_03-en.pdf N Channel Power Mosfet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ60R010S7XTMA1 IPDQ60R010S7XTMA1 Виробник : Infineon Technologies DS_IPDQ60R010S7_20240524.pdf Description: HIGH POWER_NEW PG-HDSOP-22
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 50A, 12V
Power Dissipation (Max): 694W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 3.08mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 318 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11987 pF @ 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.