Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPDQ60R020CFD7XTMA1
IPDQ60R020CFD7XTMA1

IPDQ60R020CFD7XTMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPDQ60R020CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c84f2c06701850af6ee517dc2
Виробник: Infineon Technologies
Description: HIGH POWER_NEW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 112A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 42.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 543W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.12mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 186 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7395 pF @ 400 V
на замовлення 723 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1039.91 грн
10+707.72 грн
100+649.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPDQ60R020CFD7XTMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPDQ60R020CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 112 A, 0.016 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 112A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 543W, Bauform - Transistor: HDSOP, Anzahl der Pins: 22Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CFD7 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції IPDQ60R020CFD7XTMA1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPDQ60R020CFD7XTMA1 IPDQ60R020CFD7XTMA1 INFINEON Infineon-IPDQ60R020CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c84f2c06701850af6ee517dc2 Description: INFINEON - IPDQ60R020CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 112 A, 0.016 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 112A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 543W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ60R020CFD7XTMA1 IPDQ60R020CFD7XTMA1 Infineon Technologies Infineon_IPDQ60R020CFD7_DataSheet_v02_00_EN-3223982.pdf MOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ60R020CFD7XTMA1 IPDQ60R020CFD7XTMA1 INFINEON Infineon-IPDQ60R020CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c84f2c06701850af6ee517dc2 Description: INFINEON - IPDQ60R020CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 112 A, 0.016 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 112A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 543W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ60R020CFD7XTMA1 Infineon-IPDQ60R020CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c84f2c06701850af6ee517dc2
IPDQ60R020CFD7XTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPDQ60R020CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 112 A, 0.016 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 112A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 543W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ60R020CFD7XTMA1 Infineon_IPDQ60R020CFD7_DataSheet_v02_00_EN-3223982.pdf
IPDQ60R020CFD7XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ60R020CFD7XTMA1 Infineon-IPDQ60R020CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c84f2c06701850af6ee517dc2
IPDQ60R020CFD7XTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPDQ60R020CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 112 A, 0.016 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 112A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 543W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.