IPDQ60R022S7AXTMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 23A, 12V
Power Dissipation (Max): 416W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.44mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5640 pF @ 300 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 750+ | 453.20 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPDQ60R022S7AXTMA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 22-PowerBSOP Module, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 23A, 12V, Power Dissipation (Max): 416W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.44mA, Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 12 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5640 pF @ 300 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції IPDQ60R022S7AXTMA1 за ціною від 450.97 грн до 1032.53 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IPDQ60R022S7AXTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 22-PowerBSOP Module Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 23A, 12V Power Dissipation (Max): 416W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.44mA Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 12 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5640 pF @ 300 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IPDQ60R022S7AXTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs Y |
на замовлення 730 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
| IPDQ60R022S7AXTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 24A 22-Pin HDSOP EP T/R Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |