 
IPDQ60R040S7AXTMA1 Infineon Technologies
 Виробник: Infineon Technologies
                                                Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 13A, 12V
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 790µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 12 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна | 
|---|---|
| 1+ | 684.83 грн | 
| 10+ | 451.05 грн | 
| 100+ | 333.19 грн | 
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPDQ60R040S7AXTMA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 22-PowerBSOP Module, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 13A, 12V, Power Dissipation (Max): 272W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 790µA, Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 12 V, Qualification: AEC-Q101. 
Інші пропозиції IPDQ60R040S7AXTMA1 за ціною від 370.38 грн до 762.66 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|   | IPDQ60R040S7AXTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |  MOSFET AUTOMOTIVE_COOLMOS | на замовлення 628 шт:термін постачання 21-30 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | IPDQ60R040S7AXTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |  Description: MOSFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 22-PowerBSOP Module Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 13A, 12V Power Dissipation (Max): 272W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 790µA Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 12 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності |