IPDQ60R040S7AXTMA1

IPDQ60R040S7AXTMA1 Infineon Technologies


Infineon-IPDQ60R040S7A-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c850f4bee018513cc80766821 Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 13A, 12V
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 790µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 12 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 720 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+659.73 грн
10+434.51 грн
100+320.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPDQ60R040S7AXTMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 22-PowerBSOP Module, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 13A, 12V, Power Dissipation (Max): 272W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 790µA, Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 12 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції IPDQ60R040S7AXTMA1 за ціною від 356.81 грн до 734.70 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPDQ60R040S7AXTMA1 IPDQ60R040S7AXTMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPDQ60R040S7A_DataSheet_v02_00_EN-3132425.pdf MOSFET AUTOMOTIVE_COOLMOS
на замовлення 628 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+734.70 грн
10+620.99 грн
25+489.23 грн
100+449.50 грн
250+423.75 грн
500+396.53 грн
750+356.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ60R040S7AXTMA1 IPDQ60R040S7AXTMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPDQ60R040S7A-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c850f4bee018513cc80766821 Description: MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 13A, 12V
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 790µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 12 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.