IPDQ60R045CFD7XTMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: HIGH POWER_NEW PG-HDSOP-22
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPDQ60R045CFD7XTMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPDQ60R045CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 52 A, 0.038 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 52A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, Verlustleistung: 297W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: HDSOP, Anzahl der Pins: 22Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CFD7 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm.
Інші пропозиції IPDQ60R045CFD7XTMA1 за ціною від 279.59 грн до 726.47 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IPDQ60R045CFD7XTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPDQ60R045CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 52 A, 0.038 ohm, HDSOP, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 52A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V Verlustleistung: 297W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: HDSOP Anzahl der Pins: 22Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CFD7 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm |
на замовлення 750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IPDQ60R045CFD7XTMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 52A 22-Pin HDSOP EP T/R |
на замовлення 315 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IPDQ60R045CFD7XTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPDQ60R045CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 52 A, 0.038 ohm, HDSOP, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 52A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V Verlustleistung: 297W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: HDSOP Anzahl der Pins: 22Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CFD7 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm |
на замовлення 750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IPDQ60R045CFD7XTMA1 | Infineon Technologies |
Description: HIGH POWER_NEW PG-HDSOP-22Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 22-PowerBSOP Module Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1 Part Status: Active Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V |
на замовлення 750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IPDQ60R045CFD7XTMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 52A 22-Pin HDSOP EP T/R |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IPDQ60R045CFD7XTMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 52A 22-Pin HDSOP EP T/R |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IPDQ60R045CFD7XTMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs HIGH POWER_NEW |
на замовлення 73 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| IPDQ60R045CFD7XTMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPDQ60R045CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 52 A, 0.038 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 297W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
Description: INFINEON - IPDQ60R045CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 52 A, 0.038 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 297W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 392.23 грн |
| 50+ | 347.76 грн |
| 100+ | 285.11 грн |
| 250+ | 279.59 грн |
| IPDQ60R045CFD7XTMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 52A 22-Pin HDSOP EP T/R
Trans MOSFET N-CH 600V 52A 22-Pin HDSOP EP T/R
на замовлення 315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 73+ | 485.49 грн |
| 100+ | 460.69 грн |
| IPDQ60R045CFD7XTMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPDQ60R045CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 52 A, 0.038 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 297W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
Description: INFINEON - IPDQ60R045CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 52 A, 0.038 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 297W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 523.51 грн |
| 5+ | 458.27 грн |
| 10+ | 392.23 грн |
| 50+ | 347.76 грн |
| 100+ | 285.11 грн |
| 250+ | 279.59 грн |
| IPDQ60R045CFD7XTMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: HIGH POWER_NEW PG-HDSOP-22
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Description: HIGH POWER_NEW PG-HDSOP-22
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 533.55 грн |
| 10+ | 396.37 грн |
| 25+ | 366.99 грн |
| 100+ | 314.13 грн |
| 250+ | 299.69 грн |
| IPDQ60R045CFD7XTMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 52A 22-Pin HDSOP EP T/R
Trans MOSFET N-CH 600V 52A 22-Pin HDSOP EP T/R
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 585.43 грн |
| 10+ | 494.42 грн |
| 25+ | 403.89 грн |
| IPDQ60R045CFD7XTMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 52A 22-Pin HDSOP EP T/R
Trans MOSFET N-CH 600V 52A 22-Pin HDSOP EP T/R
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 25+ | 585.43 грн |
| 29+ | 494.42 грн |
| 36+ | 403.89 грн |
| IPDQ60R045CFD7XTMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs HIGH POWER_NEW
MOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 73 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 726.47 грн |
| 10+ | 489.83 грн |
| 100+ | 350.69 грн |
| 500+ | 312.72 грн |
| 750+ | 292.70 грн |




