на замовлення 733 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 382.96 грн |
| 10+ | 287.24 грн |
| 25+ | 230.15 грн |
| 100+ | 208.27 грн |
| 250+ | 198.46 грн |
| 750+ | 184.12 грн |
| 2250+ | 179.60 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPDQ60R065S7XTMA1 Infineon Technologies
Description: HIGH POWER_NEW PG-HDSOP-22, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 22-PowerBSOP Module, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 8A, 12V, Power Dissipation (Max): 195W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 490µA, Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 12 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1932 pF @ 300 V.
Інші пропозиції IPDQ60R065S7XTMA1 за ціною від 220.31 грн до 401.61 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPDQ60R065S7XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: HIGH POWER_NEW PG-HDSOP-22Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 22-PowerBSOP Module Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 8A, 12V Power Dissipation (Max): 195W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 490µA Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 12 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1932 pF @ 300 V |
на замовлення 645 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IPDQ60R065S7XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 9A T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
IPDQ60R065S7XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: HIGH POWER_NEW PG-HDSOP-22 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 22-PowerBSOP Module Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 8A, 12V Power Dissipation (Max): 195W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 490µA Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 12 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1932 pF @ 300 V |
товару немає в наявності |