Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPDQ60R065S7XTMA1
IPDQ60R065S7XTMA1

IPDQ60R065S7XTMA1 Infineon Technologies

Infineon_IPDQ60R065S7_DataSheet_v02_00_EN-3007153.pdf Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 733 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+388.40 грн
10+291.32 грн
25+233.42 грн
100+211.23 грн
250+201.28 грн
750+186.74 грн
2250+182.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPDQ60R065S7XTMA1 Infineon Technologies

Description: HIGH POWER_NEW PG-HDSOP-22, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 22-PowerBSOP Module, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 8A, 12V, Power Dissipation (Max): 195W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 490µA, Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 12 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1932 pF @ 300 V.

Інші пропозиції IPDQ60R065S7XTMA1 за ціною від 223.44 грн до 407.31 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPDQ60R065S7XTMA1 IPDQ60R065S7XTMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPDQ60R065S7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7e7124d1017f06d6b13a15c6 Description: HIGH POWER_NEW PG-HDSOP-22
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 8A, 12V
Power Dissipation (Max): 195W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 490µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1932 pF @ 300 V
на замовлення 645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+407.31 грн
10+299.19 грн
25+275.87 грн
100+234.89 грн
250+223.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ60R065S7XTMA1 IPDQ60R065S7XTMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipdq60r065s7-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 9A T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ60R065S7XTMA1 IPDQ60R065S7XTMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPDQ60R065S7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7e7124d1017f06d6b13a15c6 Description: HIGH POWER_NEW PG-HDSOP-22
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 8A, 12V
Power Dissipation (Max): 195W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 490µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1932 pF @ 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.