Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPDQ65R017CFD7AXTMA1
IPDQ65R017CFD7AXTMA1

IPDQ65R017CFD7AXTMA1 Infineon Technologies


Infineon-IPDQ65R017CFD7A-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c869190210186cb76d75333a8 Виробник: Infineon Technologies
Description: AUTOMOTIVE_COOLMOS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 136A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 61.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 694W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 3.08mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 236 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12338 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 131 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1152.63 грн
10+880.65 грн
25+823.18 грн
100+713.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPDQ65R017CFD7AXTMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPDQ65R017CFD7AXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 136 A, 0.017 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 136A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 694W, Bauform - Transistor: HDSOP, Anzahl der Pins: 22Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CFD7A SJ Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Інші пропозиції IPDQ65R017CFD7AXTMA1 за ціною від 875.16 грн до 1625.23 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPDQ65R017CFD7AXTMA1 IPDQ65R017CFD7AXTMA1 Виробник : INFINEON 4013779.pdf Description: INFINEON - IPDQ65R017CFD7AXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 136 A, 0.017 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 136A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 694W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7A SJ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+1178.23 грн
50+1003.63 грн
100+875.16 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ65R017CFD7AXTMA1 IPDQ65R017CFD7AXTMA1 Виробник : INFINEON 4013779.pdf Description: INFINEON - IPDQ65R017CFD7AXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 136 A, 0.017 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 136A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 694W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7A SJ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1432.85 грн
5+1305.54 грн
10+1178.23 грн
50+1003.63 грн
100+875.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ65R017CFD7AXTMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPDQ65R017CFD7A_DataSheet_v02_01_EN-3324439.pdf MOSFET
на замовлення 200 шт:
термін постачання 161-170 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1625.23 грн
10+1424.20 грн
25+1155.42 грн
50+1118.86 грн
100+1083.06 грн
250+1010.71 грн
500+929.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ65R017CFD7AXTMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipdq65r017cfd7a-datasheet-v02_01-en.pdf AUTOMOTIVE_COOLMOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ65R017CFD7AXTMA1 IPDQ65R017CFD7AXTMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPDQ65R017CFD7A-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c869190210186cb76d75333a8 Description: AUTOMOTIVE_COOLMOS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 136A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 61.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 694W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 3.08mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 236 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12338 pF @ 400 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.