IPDQ65R017CFD7XTMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: HIGH POWER_NEW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 136A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 61.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 694W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 3.08mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 236 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12338 pF @ 400 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1223.58 грн |
| 10+ | 936.42 грн |
| 25+ | 875.96 грн |
| 100+ | 765.64 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPDQ65R017CFD7XTMA1 Infineon Technologies
Description: HIGH POWER_NEW, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 22-PowerBSOP Module, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 136A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 61.6A, 10V, Power Dissipation (Max): 694W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 3.08mA, Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 236 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12338 pF @ 400 V.
Інші пропозиції IPDQ65R017CFD7XTMA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IPDQ65R017CFD7XTMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs HIGH POWER_NEW |
на замовлення 552 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IPDQ65R017CFD7XTMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs HIGH POWER_NEW
MOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 552 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)