Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPDQ65R018CM8XTMA1
IPDQ65R018CM8XTMA1

IPDQ65R018CM8XTMA1 Infineon Technologies

infineon_ipdq65r018cm8_datasheet_en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs 650V CoolMOS CM8 Power Transistor
на замовлення 663 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1198.18 грн
10+701.91 грн
500+578.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 31-40 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPDQ65R018CM8XTMA1 Infineon Technologies

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; 650V; 127A; 625W, Mounting: SMD, Power dissipation: 625W, Gate charge: 173nC, Technology: CoolMOS™, Drain current: 127A, Kind of channel: enhancement, Drain-source voltage: 650V, Type of transistor: N-MOSFET, Gate-source voltage: 20V, On-state resistance: 18mΩ.

Інші пропозиції IPDQ65R018CM8XTMA1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPDQ65R018CM8XTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 650V; 127A; 625W
Mounting: SMD
Power dissipation: 625W
Gate charge: 173nC
Technology: CoolMOS™
Drain current: 127A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 18mΩ
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 750 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ65R018CM8XTMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 650V; 127A; 625W
Mounting: SMD
Power dissipation: 625W
Gate charge: 173nC
Technology: CoolMOS™
Drain current: 127A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 18mΩ
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 750 шт
В кошику  од. на суму  грн.