Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPDQ65R029CFD7XTMA1
IPDQ65R029CFD7XTMA1

IPDQ65R029CFD7XTMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPDQ65R029CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c869190210186e047429d71e3 Виробник: Infineon Technologies
Description: HIGH POWER_NEW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 35.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 463W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.79mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7149 pF @ 400 V
на замовлення 734 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+832.51 грн
10+626.65 грн
25+582.92 грн
100+501.94 грн
250+480.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPDQ65R029CFD7XTMA1 Infineon Technologies

Description: HIGH POWER_NEW, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 22-PowerBSOP Module, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 35.8A, 10V, Power Dissipation (Max): 463W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.79mA, Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7149 pF @ 400 V.

Інші пропозиції IPDQ65R029CFD7XTMA1 за ціною від 454.94 грн до 835.95 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPDQ65R029CFD7XTMA1 IPDQ65R029CFD7XTMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPDQ65R029CFD7_DataSheet_v02_00_EN-3159594.pdf MOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 759 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+835.95 грн
10+642.64 грн
25+520.15 грн
100+476.93 грн
250+455.70 грн
750+454.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ65R029CFD7XTMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipdq65r029cfd7-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 700V 85A 22-Pin HDSOP EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ65R029CFD7XTMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipdq65r029cfd7-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 700V 85A 22-Pin HDSOP EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ65R029CFD7XTMA1 IPDQ65R029CFD7XTMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPDQ65R029CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c869190210186e047429d71e3 Description: HIGH POWER_NEW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 35.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 463W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.79mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7149 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.