Продукція > INFINEON > IPDQ65R040CFD7XTMA1
IPDQ65R040CFD7XTMA1

IPDQ65R040CFD7XTMA1 INFINEON

3968264.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPDQ65R040CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 64 A, 0.034 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 357W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
на замовлення 735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+414.78 грн
50+373.93 грн
100+307.20 грн
250+300.99 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPDQ65R040CFD7XTMA1 INFINEON

Description: INFINEON - IPDQ65R040CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 64 A, 0.034 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 64A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, Verlustleistung: 357W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: HDSOP, Anzahl der Pins: 22Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm.

Інші пропозиції IPDQ65R040CFD7XTMA1 за ціною від 300.99 грн до 597.23 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPDQ65R040CFD7XTMA1 IPDQ65R040CFD7XTMA1 INFINEON 3968264.pdf Description: INFINEON - IPDQ65R040CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 64 A, 0.034 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 357W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
на замовлення 735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+560.56 грн
5+488.07 грн
10+414.78 грн
50+373.93 грн
100+307.20 грн
250+300.99 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ65R040CFD7XTMA1 IPDQ65R040CFD7XTMA1 Infineon Technologies Infineon-IPDQ65R040CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c869190210186e3ff5dfe7788 Description: HIGH POWER_NEW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 24.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.24mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 97 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4975 pF @ 400 V
на замовлення 744 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+597.23 грн
10+445.36 грн
25+412.94 грн
100+354.10 грн
250+338.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ65R040CFD7XTMA1 3968264.pdf
IPDQ65R040CFD7XTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPDQ65R040CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 64 A, 0.034 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 357W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
на замовлення 735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+560.56 грн
5+488.07 грн
10+414.78 грн
50+373.93 грн
100+307.20 грн
250+300.99 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ65R040CFD7XTMA1 Infineon-IPDQ65R040CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c869190210186e3ff5dfe7788
IPDQ65R040CFD7XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: HIGH POWER_NEW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 24.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.24mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 97 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4975 pF @ 400 V
на замовлення 744 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+597.23 грн
10+445.36 грн
25+412.94 грн
100+354.10 грн
250+338.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.