IPDQ65R040CFD7XTMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: HIGH POWER_NEW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 24.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.24mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 97 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4975 pF @ 400 V
на замовлення 744 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 611.98 грн |
| 10+ | 456.35 грн |
| 25+ | 423.14 грн |
| 100+ | 362.84 грн |
| 250+ | 346.49 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPDQ65R040CFD7XTMA1 Infineon Technologies
Description: HIGH POWER_NEW, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 22-PowerBSOP Module, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 24.8A, 10V, Power Dissipation (Max): 357W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.24mA, Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 97 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4975 pF @ 400 V.
Інші пропозиції IPDQ65R040CFD7XTMA1 за ціною від 364.90 грн до 750.15 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPDQ65R040CFD7XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET HIGH POWER_NEW |
на замовлення 99 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IPDQ65R040CFD7XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 700V 64A 22-Pin HDSOP EP T/R |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
|
|
IPDQ65R040CFD7XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: HIGH POWER_NEW Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 22-PowerBSOP Module Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 24.8A, 10V Power Dissipation (Max): 357W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.24mA Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 97 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4975 pF @ 400 V |
товару немає в наявності |