Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPDQ65R080CFD7AXTMA1
IPDQ65R080CFD7AXTMA1

IPDQ65R080CFD7AXTMA1 Infineon Technologies

infineonipdq65r080cfd7adatasheetv0201en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 36A 22-Pin HDSOP EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 599 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
111+319.41 грн
500+302.91 грн
Мінімальне замовлення: 111 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPDQ65R080CFD7AXTMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPDQ65R080CFD7AXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 36 A, 0.08 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 36A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 223W, Bauform - Transistor: HDSOP, Anzahl der Pins: 22Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CFD7A SJ Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції IPDQ65R080CFD7AXTMA1 за ціною від 188.19 грн до 518.87 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IPDQ65R080CFD7AXTMA1 IPDQ65R080CFD7AXTMA1 Infineon Technologies infineonipdq65r080cfd7adatasheetv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 36A 22-Pin HDSOP EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+324.26 грн
10+295.22 грн
25+283.91 грн
100+272.22 грн
250+250.71 грн
500+239.31 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ65R080CFD7AXTMA1 IPDQ65R080CFD7AXTMA1 Infineon Technologies infineonipdq65r080cfd7adatasheetv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 36A 22-Pin HDSOP EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
44+324.26 грн
48+295.22 грн
50+283.91 грн
100+272.22 грн
250+250.71 грн
500+239.31 грн
Мінімальне замовлення: 44 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ65R080CFD7AXTMA1 IPDQ65R080CFD7AXTMA1 INFINEON 4013782.pdf Description: INFINEON - IPDQ65R080CFD7AXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 36 A, 0.08 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 223W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7A SJ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 716 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+344.54 грн
100+278.76 грн
500+211.51 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ65R080CFD7AXTMA1 IPDQ65R080CFD7AXTMA1 Infineon Technologies Infineon-IPDQ65R080CFD7A-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c869190210186cb8925fc33b4 Description: AUTOMOTIVE_COOLMOS
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 12.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2513 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 630µA
Power Dissipation (Max): 223W (Tc)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+425.80 грн
10+313.90 грн
25+289.76 грн
100+247.05 грн
250+235.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ65R080CFD7AXTMA1 IPDQ65R080CFD7AXTMA1 INFINEON 4013782.pdf Description: INFINEON - IPDQ65R080CFD7AXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 36 A, 0.08 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 223W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7A SJ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 716 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+518.87 грн
10+344.54 грн
100+278.76 грн
500+211.51 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ65R080CFD7AXTMA1 Infineon Technologies Infineon_IPDQ65R080CFD7A_DataSheet_v02_01_EN.pdf MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS
на замовлення 61 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+384.01 грн
10+266.67 грн
100+201.58 грн
500+191.01 грн
750+188.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ65R080CFD7AXTMA1 infineonipdq65r080cfd7adatasheetv0201en.pdf
IPDQ65R080CFD7AXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 36A 22-Pin HDSOP EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+324.26 грн
10+295.22 грн
25+283.91 грн
100+272.22 грн
250+250.71 грн
500+239.31 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ65R080CFD7AXTMA1 infineonipdq65r080cfd7adatasheetv0201en.pdf
IPDQ65R080CFD7AXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 36A 22-Pin HDSOP EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
44+324.26 грн
48+295.22 грн
50+283.91 грн
100+272.22 грн
250+250.71 грн
500+239.31 грн
Мінімальне замовлення: 44 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ65R080CFD7AXTMA1 4013782.pdf
IPDQ65R080CFD7AXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPDQ65R080CFD7AXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 36 A, 0.08 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 223W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7A SJ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 716 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+344.54 грн
100+278.76 грн
500+211.51 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ65R080CFD7AXTMA1 Infineon-IPDQ65R080CFD7A-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c869190210186cb8925fc33b4
IPDQ65R080CFD7AXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: AUTOMOTIVE_COOLMOS
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 12.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2513 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 630µA
Power Dissipation (Max): 223W (Tc)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+425.80 грн
10+313.90 грн
25+289.76 грн
100+247.05 грн
250+235.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ65R080CFD7AXTMA1 4013782.pdf
IPDQ65R080CFD7AXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPDQ65R080CFD7AXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 36 A, 0.08 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 223W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7A SJ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 716 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+518.87 грн
10+344.54 грн
100+278.76 грн
500+211.51 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ65R080CFD7AXTMA1 Infineon_IPDQ65R080CFD7A_DataSheet_v02_01_EN.pdf
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS
на замовлення 61 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+384.01 грн
10+266.67 грн
100+201.58 грн
500+191.01 грн
750+188.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.