IPDQ65R080CFD7AXTMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: AUTOMOTIVE_COOLMOS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 223W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 630µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2513 pF @ 400 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 427.35 грн |
| 10+ | 315.04 грн |
| 25+ | 290.81 грн |
| 100+ | 247.94 грн |
| 250+ | 236.05 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPDQ65R080CFD7AXTMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPDQ65R080CFD7AXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 36 A, 0.08 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 36A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 223W, Bauform - Transistor: HDSOP, Anzahl der Pins: 22Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CFD7A SJ Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Інші пропозиції IPDQ65R080CFD7AXTMA1 за ціною від 231.00 грн до 520.99 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPDQ65R080CFD7AXTMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPDQ65R080CFD7AXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 36 A, 0.08 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 36A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 223W Bauform - Transistor: HDSOP Anzahl der Pins: 22Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CFD7A SJ Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 726 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IPDQ65R080CFD7AXTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
 |
IPDQ65R080CFD7AXTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 36A 22-Pin HDSOP EP T/R Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
IPDQ65R080CFD7AXTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: AUTOMOTIVE_COOLMOS Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 22-PowerBSOP Module Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 12.5A, 10V Power Dissipation (Max): 223W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 630µA Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2513 pF @ 400 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |