IPDQ65R080CFD7AXTMA1 Infineon Technologies
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 111+ | 317.27 грн |
| 500+ | 300.88 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPDQ65R080CFD7AXTMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPDQ65R080CFD7AXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 36 A, 0.08 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 36A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 223W, Bauform - Transistor: HDSOP, Anzahl der Pins: 22Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CFD7A SJ Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції IPDQ65R080CFD7AXTMA1 за ціною від 222.25 грн до 397.95 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IPDQ65R080CFD7AXTMA1 | Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 650V 36A 22-Pin HDSOP EP T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 660 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IPDQ65R080CFD7AXTMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 36A 22-Pin HDSOP EP T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 660 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IPDQ65R080CFD7AXTMA1 | Infineon Technologies |
Description: AUTOMOTIVE_COOLMOS Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 12.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 22-PowerBSOP Module Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2513 pF @ 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1 Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 630µA Power Dissipation (Max): 223W (Tc) Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive |
на замовлення 343 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IPDQ65R080CFD7AXTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPDQ65R080CFD7AXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 36 A, 0.08 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 36A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 223W Bauform - Transistor: HDSOP Anzahl der Pins: 22Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CFD7A SJ Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 716 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
|
IPDQ65R080CFD7AXTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPDQ65R080CFD7AXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 36 A, 0.08 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 36A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 223W Bauform - Transistor: HDSOP Anzahl der Pins: 22Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CFD7A SJ Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 716 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPDQ65R080CFD7AXTMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS |
на замовлення 61 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IPDQ65R080CFD7AXTMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 36A 22-Pin HDSOP EP T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 650V 36A 22-Pin HDSOP EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 322.10 грн |
| 10+ | 293.25 грн |
| 25+ | 282.01 грн |
| 100+ | 270.40 грн |
| 250+ | 249.04 грн |
| 500+ | 237.71 грн |
| IPDQ65R080CFD7AXTMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 36A 22-Pin HDSOP EP T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 650V 36A 22-Pin HDSOP EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 44+ | 322.10 грн |
| 48+ | 293.25 грн |
| 50+ | 282.01 грн |
| 100+ | 270.40 грн |
| 250+ | 249.04 грн |
| 500+ | 237.71 грн |
| IPDQ65R080CFD7AXTMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: AUTOMOTIVE_COOLMOS
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 12.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2513 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 630µA
Power Dissipation (Max): 223W (Tc)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Description: AUTOMOTIVE_COOLMOS
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 12.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2513 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 630µA
Power Dissipation (Max): 223W (Tc)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 343 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 397.95 грн |
| 10+ | 293.60 грн |
| 25+ | 271.11 грн |
| 100+ | 231.23 грн |
| 250+ | 222.25 грн |
| IPDQ65R080CFD7AXTMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPDQ65R080CFD7AXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 36 A, 0.08 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 223W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7A SJ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IPDQ65R080CFD7AXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 36 A, 0.08 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 223W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7A SJ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 716 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IPDQ65R080CFD7AXTMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPDQ65R080CFD7AXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 36 A, 0.08 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 223W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7A SJ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IPDQ65R080CFD7AXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 36 A, 0.08 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 223W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7A SJ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 716 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IPDQ65R080CFD7AXTMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS
MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS
на замовлення 61 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)