IPDQ65R099CFD7AXTMA1 INFINEON
Виробник: INFINEONDescription: INFINEON - IPDQ65R099CFD7AXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 29 A, 0.099 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 186W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7A SJ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.099ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 728 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 286.37 грн |
| 100+ | 247.59 грн |
| 500+ | 213.04 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPDQ65R099CFD7AXTMA1 INFINEON
Description: INFINEON - IPDQ65R099CFD7AXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 29 A, 0.099 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 29A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 186W, Bauform - Transistor: HDSOP, Anzahl der Pins: 22Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CFD7A SJ Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.099ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Інші пропозиції IPDQ65R099CFD7AXTMA1 за ціною від 172.43 грн до 407.69 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPDQ65R099CFD7AXTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: AUTOMOTIVE_COOLMOS Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 22-PowerBSOP Module Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 9.7A, 10V Power Dissipation (Max): 186W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 480µA Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1942 pF @ 400 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 460 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPDQ65R099CFD7AXTMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPDQ65R099CFD7AXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 29 A, 0.099 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 29A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 186W Bauform - Transistor: HDSOP Anzahl der Pins: 22Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CFD7A SJ Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.099ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 728 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IPDQ65R099CFD7AXTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS |
на замовлення 250 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| IPDQ65R099CFD7AXTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
AUTOMOTIVE_COOLMOS |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
|
|
IPDQ65R099CFD7AXTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: AUTOMOTIVE_COOLMOS Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 22-PowerBSOP Module Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 9.7A, 10V Power Dissipation (Max): 186W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 480µA Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1942 pF @ 400 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |