Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPDQ65R125CFD7XTMA1
IPDQ65R125CFD7XTMA1

IPDQ65R125CFD7XTMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPDQ65R125CFD7-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c869190210186e4089b4677d5 Виробник: Infineon Technologies
Description: HIGH POWER_NEW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 390µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1566 pF @ 400 V
на замовлення 630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+242.93 грн
10+176.14 грн
25+161.61 грн
100+136.72 грн
250+129.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPDQ65R125CFD7XTMA1 Infineon Technologies

Description: HIGH POWER_NEW, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 22-PowerBSOP Module, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 7.8A, 10V, Power Dissipation (Max): 160W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 390µA, Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1566 pF @ 400 V.

Інші пропозиції IPDQ65R125CFD7XTMA1 за ціною від 134.31 грн до 315.95 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPDQ65R125CFD7XTMA1 IPDQ65R125CFD7XTMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPDQ65R125CFD7_DataSheet_v02_01_EN-3159498.pdf MOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+315.95 грн
10+235.47 грн
25+188.61 грн
100+170.27 грн
250+160.73 грн
500+135.04 грн
750+134.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ65R125CFD7XTMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipdq65r125cfd7-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 700V 24A 22-Pin HDSOP EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ65R125CFD7XTMA1 IPDQ65R125CFD7XTMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPDQ65R125CFD7-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c869190210186e4089b4677d5 Description: HIGH POWER_NEW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 390µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1566 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.