Технічний опис IPF009N04NF2SATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPF009N04NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 302 A, 790 µohm, TO-263, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 302A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V, Verlustleistung: 375W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: StrongIRFET 2 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 790µohm.
Інші пропозиції IPF009N04NF2SATMA1 за ціною від 114.56 грн до 267.10 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPF009N04NF2SATMA1 | Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 40V 49A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IPF009N04NF2SATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 49A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IPF009N04NF2SATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 49A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IPF009N04NF2SATMA1 | Infineon Technologies |
Description: TRENCH <= 40V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 315 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Supplier Device Package: PG-TO263-7-U02 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 249µA Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 100A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Ta), 302A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IPF009N04NF2SATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPF009N04NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 302 A, 790 µohm, TO-263, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 302A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V Verlustleistung: 375W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET 2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 790µohm |
на замовлення 406 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
 |
IPF009N04NF2SATMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs N |
на замовлення 829 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
|
IPF009N04NF2SATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPF009N04NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 302 A, 790 µohm, TO-263, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 302A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V Verlustleistung: 375W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET 2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 790µohm |
на замовлення 406 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| IPF009N04NF2SATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 49A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 40V 49A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 800+ | 164.65 грн |
| IPF009N04NF2SATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 49A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 40V 49A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 178.42 грн |
| 10+ | 168.40 грн |
| 25+ | 165.68 грн |
| 100+ | 151.01 грн |
| 250+ | 136.81 грн |
| 500+ | 114.56 грн |
| IPF009N04NF2SATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 49A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 40V 49A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 79+ | 178.42 грн |
| 84+ | 168.40 грн |
| 85+ | 165.68 грн |
| 100+ | 151.01 грн |
| 250+ | 136.81 грн |
| 500+ | 114.56 грн |
| IPF009N04NF2SATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH <= 40V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 315 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-7-U02
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 249µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Ta), 302A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: TRENCH <= 40V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 315 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-7-U02
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 249µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Ta), 302A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 267.10 грн |
| 10+ | 181.30 грн |
| 100+ | 130.29 грн |
| IPF009N04NF2SATMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPF009N04NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 302 A, 790 µohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 302A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
Verlustleistung: 375W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 790µohm
Description: INFINEON - IPF009N04NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 302 A, 790 µohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 302A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
Verlustleistung: 375W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 790µohm
на замовлення 406 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IPF009N04NF2SATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N
MOSFETs N
на замовлення 829 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IPF009N04NF2SATMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPF009N04NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 302 A, 790 µohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 302A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
Verlustleistung: 375W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 790µohm
Description: INFINEON - IPF009N04NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 302 A, 790 µohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 302A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
Verlustleistung: 375W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 790µohm
на замовлення 406 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)