Продукція > INFINEON > IPF010N04NF2SATMA1
IPF010N04NF2SATMA1

IPF010N04NF2SATMA1 INFINEON


3920483.pdf Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPF010N04NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 289 A, 870 µohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 289A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 870µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 750 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+102.57 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPF010N04NF2SATMA1 INFINEON

Description: INFINEON - IPF010N04NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 289 A, 870 µohm, TO-263, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 289A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250W, Bauform - Transistor: TO-263, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: StrongIRFET 2 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 870µohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Інші пропозиції IPF010N04NF2SATMA1 за ціною від 102.57 грн до 304.59 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPF010N04NF2SATMA1 IPF010N04NF2SATMA1 Виробник : INFINEON 3920483.pdf Description: INFINEON - IPF010N04NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 289 A, 870 µohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 289A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 870µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+147.27 грн
10+134.72 грн
100+123.01 грн
500+102.57 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IPF010N04NF2SATMA1 IPF010N04NF2SATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPF010N04NF2S_DataSheet_v02_00_EN-3083489.pdf MOSFETs N
на замовлення 736 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+304.59 грн
10+224.75 грн
25+189.47 грн
100+140.24 грн
500+139.49 грн
800+111.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPF010N04NF2SATMA1 IPF010N04NF2SATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipf010n04nf2s-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 46A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPF010N04NF2SATMA1 IPF010N04NF2SATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPF010N04NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c850f4bee01851d12dc096b00 Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Ta), 289A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 189µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 239 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11300 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPF010N04NF2SATMA1 IPF010N04NF2SATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPF010N04NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c850f4bee01851d12dc096b00 Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Ta), 289A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 189µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 239 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11300 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.