Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPF012N06NF2SATMA1
IPF012N06NF2SATMA1

IPF012N06NF2SATMA1 Infineon Technologies

infineon-ipf012n06nf2s-datasheet-v02_00-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 41A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+140.24 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 800 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPF012N06NF2SATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPF012N06NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 282 A, 1100 µohm, TO-263, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 282A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V, Verlustleistung: 250W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: StrongIRFET 2 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm.

Інші пропозиції IPF012N06NF2SATMA1 за ціною від 110.65 грн до 488.03 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPF012N06NF2SATMA1 IPF012N06NF2SATMA1 Infineon Technologies infineon-ipf012n06nf2s-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 41A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+151.99 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPF012N06NF2SATMA1 IPF012N06NF2SATMA1 Infineon Technologies infineon-ipf012n06nf2s-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 41A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+194.71 грн
10+178.99 грн
25+174.70 грн
100+155.27 грн
250+139.50 грн
500+110.65 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPF012N06NF2SATMA1 IPF012N06NF2SATMA1 Infineon Technologies infineon-ipf012n06nf2s-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 41A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
76+194.71 грн
82+178.99 грн
84+174.70 грн
100+155.27 грн
250+139.50 грн
500+110.65 грн
Мінімальне замовлення: 76 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPF012N06NF2SATMA1 IPF012N06NF2SATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPF012N06NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c850f4bee01851c67d7463b33 Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 282A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 186µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-U02
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 233 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 30 V
на замовлення 245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+309.47 грн
10+196.00 грн
100+138.14 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPF012N06NF2SATMA1 IPF012N06NF2SATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPF012N06NF2S_DataSheet_v02_00_EN.pdf MOSFETs IFX FET 60V
на замовлення 770 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+488.03 грн
10+243.12 грн
100+178.31 грн
500+176.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPF012N06NF2SATMA1 infineon-ipf012n06nf2s-datasheet-v02_00-en.pdf
IPF012N06NF2SATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 41A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+151.99 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPF012N06NF2SATMA1 infineon-ipf012n06nf2s-datasheet-v02_00-en.pdf
IPF012N06NF2SATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 41A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+194.71 грн
10+178.99 грн
25+174.70 грн
100+155.27 грн
250+139.50 грн
500+110.65 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPF012N06NF2SATMA1 infineon-ipf012n06nf2s-datasheet-v02_00-en.pdf
IPF012N06NF2SATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 41A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
76+194.71 грн
82+178.99 грн
84+174.70 грн
100+155.27 грн
250+139.50 грн
500+110.65 грн
Мінімальне замовлення: 76 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPF012N06NF2SATMA1 Infineon-IPF012N06NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c850f4bee01851c67d7463b33
IPF012N06NF2SATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 282A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 186µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-U02
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 233 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 30 V
на замовлення 245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+309.47 грн
10+196.00 грн
100+138.14 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPF012N06NF2SATMA1 Infineon_IPF012N06NF2S_DataSheet_v02_00_EN.pdf
IPF012N06NF2SATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET 60V
на замовлення 770 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+488.03 грн
10+243.12 грн
100+178.31 грн
500+176.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.