Технічний опис IPF012N06NF2SATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPF012N06NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 282 A, 1100 µohm, TO-263, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 282A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V, Verlustleistung: 250W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: StrongIRFET 2 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm.
Інші пропозиції IPF012N06NF2SATMA1 за ціною від 106.61 грн до 308.55 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPF012N06NF2SATMA1 | Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 60V 41A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IPF012N06NF2SATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 41A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IPF012N06NF2SATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 41A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IPF012N06NF2SATMA1 | Infineon Technologies |
Description: TRENCH 40<-<100V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 233 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO263-7-U02 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 186µA Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 100A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 282A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 245 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IPF012N06NF2SATMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs IFX FET 60V |
на замовлення 780 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
 |
IPF012N06NF2SATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPF012N06NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 282 A, 1100 µohm, TO-263, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 282A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V Verlustleistung: 250W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET 2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm |
на замовлення 141 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
|
IPF012N06NF2SATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPF012N06NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 282 A, 1100 µohm, TO-263, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 282A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V Verlustleistung: 250W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET 2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm |
на замовлення 141 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| IPF012N06NF2SATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 41A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 41A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 800+ | 146.44 грн |
| IPF012N06NF2SATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 41A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 41A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 187.60 грн |
| 10+ | 172.45 грн |
| 25+ | 168.31 грн |
| 100+ | 149.60 грн |
| 250+ | 134.40 грн |
| 500+ | 106.61 грн |
| IPF012N06NF2SATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 41A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 41A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 76+ | 187.60 грн |
| 82+ | 172.45 грн |
| 84+ | 168.31 грн |
| 100+ | 149.60 грн |
| 250+ | 134.40 грн |
| 500+ | 106.61 грн |
| IPF012N06NF2SATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH 40<-<100V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 233 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-7-U02
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 186µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 282A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: TRENCH 40<-<100V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 233 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-7-U02
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 186µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 282A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 308.55 грн |
| 10+ | 195.42 грн |
| 100+ | 137.73 грн |
| IPF012N06NF2SATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET 60V
MOSFETs IFX FET 60V
на замовлення 780 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IPF012N06NF2SATMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPF012N06NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 282 A, 1100 µohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 282A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm
Description: INFINEON - IPF012N06NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 282 A, 1100 µohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 282A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm
на замовлення 141 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IPF012N06NF2SATMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPF012N06NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 282 A, 1100 µohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 282A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm
Description: INFINEON - IPF012N06NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 282 A, 1100 µohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 282A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm
на замовлення 141 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)