IPF013N04NF2S Infineon Technologies



Виробник: Infineon Technologies
IFX FET 40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPF013N04NF2S Infineon Technologies

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 239A; Idm: 956A; 231W; D2PAK-7, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: StrongIRFET™ 2, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 40V, Drain current: 239A, Pulsed drain current: 956A, Power dissipation: 231W, Case: D2PAK-7, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 1.35mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 106nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement.

Інші пропозиції IPF013N04NF2S

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPF013N04NF2SATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPF013N04NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c850f4bee01851d12e8996b03 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 239A; Idm: 956A; 231W; D2PAK-7
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: StrongIRFET™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 239A
Pulsed drain current: 956A
Power dissipation: 231W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 106nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPF013N04NF2SATMA1 Infineon-IPF013N04NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c850f4bee01851d12e8996b03
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 239A; Idm: 956A; 231W; D2PAK-7
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: StrongIRFET™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 239A
Pulsed drain current: 956A
Power dissipation: 231W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 106nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.