IPF013N04NF2SATMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH <= 40V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 159 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-7-U02
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 126µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 188W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 232A (Tc)
FET Type: N-Channel
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPF013N04NF2SATMA1 Infineon Technologies
Description: TRENCH .
Інші пропозиції IPF013N04NF2SATMA1 за ціною від 65.76 грн до 208.54 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPF013N04NF2SATMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs TRENCH <= 40V |
на замовлення 238 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IPF013N04NF2SATMA1 | Infineon Technologies |
Description: TRENCH <= 40V FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 159 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO263-7-U02 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 126µA Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 188W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 100A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 232A (Tc) |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| IPF013N04NF2SATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs TRENCH <= 40V
MOSFETs TRENCH <= 40V
на замовлення 238 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 199.82 грн |
| 10+ | 135.36 грн |
| 100+ | 70.34 грн |
| 500+ | 67.31 грн |
| 800+ | 65.76 грн |
| IPF013N04NF2SATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH <= 40V
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 159 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-7-U02
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 126µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 188W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 232A (Tc)
Description: TRENCH <= 40V
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 159 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-7-U02
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 126µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 188W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 232A (Tc)
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 208.54 грн |
| 10+ | 135.76 грн |
| 100+ | 102.08 грн |