Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPF013N04NF2SATMA1
IPF013N04NF2SATMA1

IPF013N04NF2SATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPF013N04NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c850f4bee01851d12e8996b03
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH <= 40V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 159 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-7-U02
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 126µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 188W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 232A (Tc)
FET Type: N-Channel
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+79.82 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPF013N04NF2SATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPF013N04NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 232 A, 0.00108 ohm, TO-263, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 232A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 188W, Bauform - Transistor: TO-263, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: StrongIRFET 2 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00108ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Інші пропозиції IPF013N04NF2SATMA1 за ціною від 99.76 грн до 203.80 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPF013N04NF2SATMA1 IPF013N04NF2SATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPF013N04NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c850f4bee01851d12e8996b03 Description: TRENCH <= 40V
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 159 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-7-U02
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 126µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 188W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 232A (Tc)
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+203.80 грн
10+132.68 грн
100+99.76 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPF013N04NF2SATMA1 IPF013N04NF2SATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPF013N04NF2S-DataSheet-v02_01-EN.pdf MOSFETs TRENCH <= 40V
на замовлення 238 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPF013N04NF2SATMA1 IPF013N04NF2SATMA1 INFINEON 3920486.pdf Description: INFINEON - IPF013N04NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 232 A, 0.00108 ohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 232A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00108ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 698 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPF013N04NF2SATMA1 IPF013N04NF2SATMA1 INFINEON 3920486.pdf Description: INFINEON - IPF013N04NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 232 A, 0.00108 ohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 232A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00108ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 698 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPF013N04NF2SATMA1 Infineon-IPF013N04NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c850f4bee01851d12e8996b03
IPF013N04NF2SATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH <= 40V
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 159 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-7-U02
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 126µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 188W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 232A (Tc)
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+203.80 грн
10+132.68 грн
100+99.76 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPF013N04NF2SATMA1 Infineon-IPF013N04NF2S-DataSheet-v02_01-EN.pdf
IPF013N04NF2SATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs TRENCH <= 40V
на замовлення 238 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPF013N04NF2SATMA1 3920486.pdf
IPF013N04NF2SATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPF013N04NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 232 A, 0.00108 ohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 232A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00108ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 698 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPF013N04NF2SATMA1 3920486.pdf
IPF013N04NF2SATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPF013N04NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 232 A, 0.00108 ohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 232A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00108ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 698 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.