Продукція > INFINEON > IPF015N10N5ATMA1
IPF015N10N5ATMA1

IPF015N10N5ATMA1 INFINEON

Infineon-IPF015N10N5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c85c5e5aa0185e44205fd6df1 Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPF015N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 276 A, 0.0014 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 276A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 766 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+500.52 грн
50+446.44 грн
100+394.43 грн
250+370.88 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPF015N10N5ATMA1 INFINEON

Description: INFINEON - IPF015N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 276 A, 0.0014 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 276A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Інші пропозиції IPF015N10N5ATMA1 за ціною від 311.48 грн до 681.34 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPF015N10N5ATMA1 IPF015N10N5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPF015N10N5_DataSheet_v02_01_EN-3106800.pdf MOSFETs TRENCH >=100V
на замовлення 796 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+640.19 грн
10+541.27 грн
25+427.05 грн
100+391.84 грн
250+368.88 грн
500+345.16 грн
1000+311.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPF015N10N5ATMA1 IPF015N10N5ATMA1 Виробник : INFINEON Infineon-IPF015N10N5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c85c5e5aa0185e44205fd6df1 Description: INFINEON - IPF015N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 276 A, 0.0014 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 276A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 766 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+644.76 грн
5+572.64 грн
10+500.52 грн
50+446.44 грн
100+394.43 грн
250+370.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPF015N10N5ATMA1 IPF015N10N5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPF015N10N5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c85c5e5aa0185e44205fd6df1 Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 276A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.53mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 279µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 50 V
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+681.34 грн
10+448.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPF015N10N5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipf015n10n5-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 35A T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPF015N10N5ATMA1 IPF015N10N5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPF015N10N5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c85c5e5aa0185e44205fd6df1 Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 276A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.53mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 279µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.