Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPF016N06NF2SATMA1
IPF016N06NF2SATMA1

IPF016N06NF2SATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPF016N06NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c850f4bee01851d1298c66aee
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 223A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 129µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-U02
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 30 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+71.77 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPF016N06NF2SATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPF016N06NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 223 A, 1300 µohm, TO-263, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 223A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 188W, Bauform - Transistor: TO-263, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: StrongIRFET 2 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1300µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IPF016N06NF2SATMA1 за ціною від 92.56 грн до 281.18 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPF016N06NF2SATMA1 IPF016N06NF2SATMA1 Infineon Technologies infineonipf016n06nf2sdatasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 35A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+109.77 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPF016N06NF2SATMA1 IPF016N06NF2SATMA1 Infineon Technologies infineonipf016n06nf2sdatasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 35A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+111.16 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPF016N06NF2SATMA1 IPF016N06NF2SATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPF016N06NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c850f4bee01851d1298c66aee Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 223A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 129µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-U02
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 30 V
на замовлення 1526 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+212.45 грн
10+133.27 грн
100+92.56 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPF016N06NF2SATMA1 IPF016N06NF2SATMA1 Infineon Technologies infineonipf016n06nf2sdatasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 35A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+279.25 грн
10+193.84 грн
100+125.34 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPF016N06NF2SATMA1 IPF016N06NF2SATMA1 Infineon Technologies infineonipf016n06nf2sdatasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 35A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+281.18 грн
72+195.18 грн
112+126.21 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPF016N06NF2SATMA1 IPF016N06NF2SATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPF016N06NF2S_DataSheet_v02_00_EN-3083401.pdf MOSFETs TRENCH 40<-<100V
на замовлення 2562 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPF016N06NF2SATMA1 IPF016N06NF2SATMA1 INFINEON Infineon-IPF016N06NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c850f4bee01851d1298c66aee Description: INFINEON - IPF016N06NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 223 A, 1300 µohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 223A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPF016N06NF2SATMA1 IPF016N06NF2SATMA1 INFINEON Infineon-IPF016N06NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c850f4bee01851d1298c66aee Description: INFINEON - IPF016N06NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 223 A, 1300 µohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 223A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPF016N06NF2SATMA1 infineonipf016n06nf2sdatasheeten.pdf
IPF016N06NF2SATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 35A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+109.77 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPF016N06NF2SATMA1 infineonipf016n06nf2sdatasheeten.pdf
IPF016N06NF2SATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 35A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+111.16 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPF016N06NF2SATMA1 Infineon-IPF016N06NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c850f4bee01851d1298c66aee
IPF016N06NF2SATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 223A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 129µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-U02
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 30 V
на замовлення 1526 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+212.45 грн
10+133.27 грн
100+92.56 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPF016N06NF2SATMA1 infineonipf016n06nf2sdatasheeten.pdf
IPF016N06NF2SATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 35A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+279.25 грн
10+193.84 грн
100+125.34 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPF016N06NF2SATMA1 infineonipf016n06nf2sdatasheeten.pdf
IPF016N06NF2SATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 35A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+281.18 грн
72+195.18 грн
112+126.21 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPF016N06NF2SATMA1 Infineon_IPF016N06NF2S_DataSheet_v02_00_EN-3083401.pdf
IPF016N06NF2SATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs TRENCH 40<-<100V
на замовлення 2562 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPF016N06NF2SATMA1 Infineon-IPF016N06NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c850f4bee01851d1298c66aee
IPF016N06NF2SATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPF016N06NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 223 A, 1300 µohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 223A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPF016N06NF2SATMA1 Infineon-IPF016N06NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c850f4bee01851d1298c66aee
IPF016N06NF2SATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPF016N06NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 223 A, 1300 µohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 223A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.